【技术实现步骤摘要】
本申请属于光刻领域,尤其涉及一种掩模图像生成方法、装置、电子设备和存储介质。
技术介绍
1、光刻是芯片制造过程中的核心环节,随着光刻系统分辨率不断提高,光的衍射和干涉效应变得越来越明显,使得晶圆上的光刻图案变得失真和模糊。相关技术中,主要采用光刻仿真的方法来提高分辨率,如采用基于模型的光学邻近校正方法(mb-opc),根据物理、化学以及光学等规律设计一套算法,并经过多次迭代计算来提高光刻系统的分辨率,该方法效率低,实现难度大,且难以适用于复杂多变的光刻场景。
技术实现思路
1、本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本申请提出一种掩模图像生成方法、装置、电子设备和存储介质,能够得到更加精准的掩模图像,提高光刻系统的分辨率,具有较高的灵活性和普适性。
2、第一方面,本申请提供了一种用于光刻机的掩模图像生成方法,该方法包括:
3、获取多个目标工艺参数;
4、将所述多个目标工艺参数输入至目标网络模型的多层感知层,获取所述多层感知层输出的目标重构图
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【技术保护点】
1.一种用于光刻机的掩模图像生成方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的用于光刻机的掩模图像生成方法,其特征在于,所述将所述多个目标工艺参数输入至目标网络模型的多层感知层,获取所述多层感知层输出的目标重构图像,包括:
3.根据权利要求1所述的用于光刻机的掩模图像生成方法,其特征在于,所述获取多个目标工艺参数,包括:
4.根据权利要求1-3任一项所述的用于光刻机的掩模图像生成方法,其特征在于,所述多个目标工艺参数包括:曝光剂量和光刻胶参数。
5.根据权利要求1-3任一项所述的用于光刻机的掩模图像生成方法,其特征在
...【技术特征摘要】
1.一种用于光刻机的掩模图像生成方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的用于光刻机的掩模图像生成方法,其特征在于,所述将所述多个目标工艺参数输入至目标网络模型的多层感知层,获取所述多层感知层输出的目标重构图像,包括:
3.根据权利要求1所述的用于光刻机的掩模图像生成方法,其特征在于,所述获取多个目标工艺参数,包括:
4.根据权利要求1-3任一项所述的用于光刻机的掩模图像生成方法,其特征在于,所述多个目标工艺参数包括:曝光剂量和光刻胶参数。
5.根据权利要求1-3任一项所述的用于光刻机的掩模图像生成方法,其特征在于,所述训练样本基于如下步骤获取:
6.根据权利要求1-3任一项所述的用于...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄磊,詹灏民,张猛,周宇,陆磊,韩子娟,
申请(专利权)人:深圳大学,
类型:发明
国别省市:
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