【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及超高纯稀土氧化物制备方法领域,特别涉及一种利用色谱单柱法制备超高纯氧化镧的制备方法。
技术介绍
1、稀土因其电子层结构的特殊性,具备优异的磁、光、电等物理和化学特性,被称为工业材料的宝库。我国是稀土大国且提供了全球7成左右的稀土产量,以及9成左右的稀土分离能力。目前,我国通过萃取法可大规模生产99%-99.999%纯度的稀土,然而在超高纯稀土(99.9999%及以上的稀土纯度)制备方面尚处于薄弱地位。随着科技的发展,随着稀土在新一代电子、通信、光学等高精尖领域的应用,对超高纯稀土的需求日益增加,且对其中敏感杂质的要求愈发严苛。
2、稀土通常与放射性元素铀(u)、钍(th)伴生,在稀土冶炼过程中,稀土中绝大多数的放射性元素铀、钍能被有效去除,然而稀土产品中仍然可能残留极微量铀(u)、钍(th),放射性杂质衰变持续释放的高能粒子可能会对高端光电领域产品性能产生影响。
3、镧(la)是地壳中最丰富的稀土元素之一,其产量占稀土产量的15%-20%。在高端光学玻璃、闪烁晶体、激光晶体、超大规模集成电路栅极绝缘
...【技术保护点】
1.一种利用色谱单柱法制备超高纯氧化镧的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种利用色谱单柱法制备超高纯氧化镧的制备方法,其特征在于,所述镧化合物的纯度为4N及以上,所述镧化合物包括氧化镧,硝酸镧。
3.根据权利要求1所述的一种利用色谱单柱法制备超高纯氧化镧的制备方法,其特征在于:所述膦酸类萃取剂为P507或P507与5%-50%的TBP的混合物。
4.根据权利要求1所述的一种利用色谱单柱法制备超高纯氧化镧的制备方法,其特征在于:步骤S2中,所述载体包含多孔硅基聚合物、大孔吸附树脂D101中的任一种。
>5.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种利用色谱单柱法制备超高纯氧化镧的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种利用色谱单柱法制备超高纯氧化镧的制备方法,其特征在于,所述镧化合物的纯度为4n及以上,所述镧化合物包括氧化镧,硝酸镧。
3.根据权利要求1所述的一种利用色谱单柱法制备超高纯氧化镧的制备方法,其特征在于:所述膦酸类萃取剂为p507或p507与5%-50%的tbp的混合物。
4.根据权利要求1所述的一种利用色谱单柱法制备超高纯氧化镧的制备方法,其特征在于:步骤s2中,所述载体包含多孔硅基聚合物、大孔吸附树脂d101中的任一种。
5.根...
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