基于等离子体原子发射光谱法测定合金中元素含量的方法和应用技术

本发明专利技术属于化学分析技术领域，具体涉及一种基于等离子体原子发射光谱法测定合金中元素含量的方法和应用。本发明专利技术提供了一种基于等离子体原子发射光谱法测定合金中元素含量的方法，包括如下步骤：(1)样品预处理：将待测样品和酸溶液混合，加热至样品溶解，收集溶解液定容，得到试样溶液；所述酸溶液包括硫酸溶液和磷酸溶液中的至少一种；(2)制备不同浓度的含硅元素和/或铝元素的标准溶液，利用电感耦合等离子体原子发射光谱分析技术检测得到标准溶液浓度与光谱强度的标准曲线；(3)分别计算所述试样溶液中硅元素和/或铝元素的含量。本发明专利技术提供的测定方法，操作安全简单、分析速度快、精密度高、准确性好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于化学分析，具体涉及一种基于等离子体原子发射光谱法测定合金中元素含量的方法和应用。

技术介绍

1、铁硅材料和铁硅铝材料作为重要的软磁材料和冶金原材料，在钢铁、铸造、电力、航空航天以及汽车制造等领域具有广泛的应用。在生产过程中，需要通过调整配方成分来获得与性能、成本及市场相适应的产品。硅、铝含量的成分需要随时监测，以保证产品质量的稳定。因此，产品成分的及时检测至关重要，而大部分铁硅材料和铁硅铝材料中硅的含量主要为5％-15％。

2、现有技术对硅的测定主要通过重量法和比色法。但重量法和比色法都存在分析步骤复杂、稳定性差、灵敏度低等不足。电感耦合等离子体发射光谱法(icp-oes)具有分析速度快、灵敏度高、线性范围宽，可同时测定多种元素等特点，已广泛应用于不同类型样品中多种元素的测定，但现有技术中进行样品预处理采用氢氟酸，操作过程繁琐，还增加了分析误差风险。

技术实现思路

1、因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中测定硅含量时，样品预处理安全性差、步骤繁琐、分析速度慢等缺陷，从而本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于等离子体原子发射光谱法测定合金中元素含量的方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述基于等离子体原子发射光谱法测定合金中元素含量的方法，其特征在于，所述待测样品中硅元素的质量含量范围为：0.005-15％；和/或，

3.根据权利要求2所述基于等离子体原子发射光谱法测定合金中元素含量的方法，其特征在于，所述待测样品中硅元素的质量含量范围为：1-15％；和/或，

4.根据权利要求1-3任一项所述基于等离子体原子发射光谱法测定合金中元素含量的方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述待测样品包括含铝元素和/或硅元素的材料；

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【技术特征摘要】

1.一种基于等离子体原子发射光谱法测定合金中元素含量的方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述基于等离子体原子发射光谱法测定合金中元素含量的方法，其特征在于，所述待测样品中硅元素的质量含量范围为：0.005-15％；和/或，

3.根据权利要求2所述基于等离子体原子发射光谱法测定合金中元素含量的方法，其特征在于，所述待测样品中硅元素的质量含量范围为：1-15％；和/或，

4.根据权利要求1-3任一项所述基于等离子体原子发射光谱法测定合金中元素含量的方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述待测样品包括含铝元素和/或硅元素的材料；

5.根据权利要求1-4任一项所述基于等离子体原子发射光谱法测定合金中元素含量的方法，其特征在于，所述步骤(2)，在制备所述标准溶液时还包括加入高纯铁试液；

6.根据权利要求1-5任一项所述基于...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈巧玲，楼俏珍，张宇萍，杨德强，
申请(专利权)人：横店集团东磁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：

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