一种双层电容负载倾斜T式行波电极铌酸锂电光调制器制造技术

本发明专利技术涉及电光调制器技术领域，具体涉及一种双层电容负载倾斜T式行波电极铌酸锂电光调制器，包括衬底、缓冲层、混合光波导、隔离层和金属电极，混合光波导包括矩形Si波导与LN波导；混合光波导在LN波导限制光模场的前提下，再利用矩形Si波导加强对光模场的限制作用；金属电极为双层电容负载倾斜T式金属电极，可有效降低吸收损耗，在光电效率上，金属电极同时在上下两个部分作用，倾斜的截面能够增大波导所受到的电场，提高了调制效率；金属电极沿混合光波导的Y轴周期性排列；为减小光吸收损耗，在金属电极上层与混合光波导之间加入隔离层。该电光调制器在0.21dB/cm的光吸收损耗下实现了1.18V·cm的半波电压长度积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电光调制器，尤其涉及一种双层电容负载倾斜t式行波电极铌酸锂电光调制器。

技术介绍

1、随着光通信技术的进步，光电子器件正朝着高性能、低功耗、低成本、小型化集成器件的方向发展。

2、电光调制器已成为现代光纤通信、微波光子系统、量子光子学和数据中心应用等方面的关键组件。与此同时，薄膜铌酸锂凭借集成度高、透明波段宽、物理化学性质稳定等优势，在近年来受到广泛关注和研究。相比于传统体材料铌酸锂调制器，薄膜铌酸锂调制器具有功耗低、带宽大、尺寸小及制备技术相对成熟的特点，是集成光路未来发展的有效解决方案之一。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种双层电容负载倾斜t式行波电极铌酸锂电光调制器，旨在提升传统电光调制器的调制效率，并降低损耗。

2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种双层电容负载倾斜t式行波电极铌酸锂电光调制器，包括衬底、缓冲层、混合光波导、隔离层和金属电极，所述混合光波导包括矩形si波导与ln波导；所述缓冲层与所述衬底固定连接，且位于所述衬底顶部，所述ln波导与所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种双层电容负载倾斜T式行波电极铌酸锂电光调制器，其特征在于；

2.如权利要求1所述的双层电容负载倾斜T式行波电极铌酸锂电光调制器，其特征在于；

3.如权利要求1所述的双层电容负载倾斜T式行波电极铌酸锂电光调制器，其特征在于；

4.如权利要求1所述的双层电容负载倾斜T式行波电极铌酸锂电光调制器，其特征在于；

5.如权利要求1所述的双层电容负载倾斜T式行波电极铌酸锂电光调制器，其特征在于；

【技术特征摘要】

1.一种双层电容负载倾斜t式行波电极铌酸锂电光调制器，其特征在于；

2.如权利要求1所述的双层电容负载倾斜t式行波电极铌酸锂电光调制器，其特征在于；

3.如权利要求1所述的双层电容负载倾斜t式行波电...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨军，陈光润，钟闯洋，宋树祥，杨晨曦，李汶承，赵培阳，
申请(专利权)人：广西师范大学，
类型：发明
国别省市：