【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片领域,具体而言,涉及一种乱序投机执行发射队列及电子设备。
技术介绍
1、近年来,不管是在高端消费电子领域还是服务器领域,更强大性能的处理器核心都是各大芯片公司的核心竞争力,例如轰动业内的m1芯片。高性能处理器核心主要具备两个特点:乱序执行和超标量。这类处理器核心主要由以下几个部分组成:(1)分支预测模块、(2)取指令模块、(3)译码模块、(4)重命名模块、(5)分发模块、(6)发射模块、(7)执行模块、(8)访存模块和(9)重排序模块;大部分高性能处理器核心还有浮点和向量执行模块。通常,高性能处理器的运行频率都在2ghz以上并且超标量宽度大于4。
2、在高性能处理器核心中,乱序投机执行是提高性能重要的方法,而发射队列的大小直接影响着处理器的投机执行能力,如果发射队列太小而不能匹配处理器前端取指能力和指令执行能力,那么发射队列就会成为整个处理器的性能瓶颈。但发射队列因其逻辑复杂性,很难在增加其大小的同时又满足高时钟频率下的时序约束。
技术实现思路
1、本专利技术
...【技术保护点】
1.一种乱序投机执行发射队列,其特征在于,包括:写缓存区、溢出区、主条目区以及第一选择器;所述写缓存区、所述溢出区、所述主条目区均与所述第一选择器连接,所述写缓存区、所述溢出区均与所述主条目区连接,所述写缓存区还与所述溢出区连接;
2.如权利要求1所述的乱序投机执行发射队列,其特征在于,
3.如权利要求1所述的乱序投机执行发射队列,其特征在于,所述写缓存区包括K个缓存条目,K个缓存条目均与所述第一选择器连接;
4.如权利要求1所述的乱序投机执行发射队列,其特征在于,
5.如权利要求4所述的乱序投机执行发射队列,其特征在于
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【技术特征摘要】
1.一种乱序投机执行发射队列,其特征在于,包括:写缓存区、溢出区、主条目区以及第一选择器;所述写缓存区、所述溢出区、所述主条目区均与所述第一选择器连接,所述写缓存区、所述溢出区均与所述主条目区连接,所述写缓存区还与所述溢出区连接;
2.如权利要求1所述的乱序投机执行发射队列,其特征在于,
3.如权利要求1所述的乱序投机执行发射队列,其特征在于,所述写缓存区包括k个缓存条目,k个缓存条目均与所述第一选择器连接;
4.如权利要求1所述的乱序投机执行发射队列,其特征在于,
5.如权利要求4所述的乱序投机执行发射队列,其特征在于,
...【专利技术属性】
技术研发人员:王帆,
申请(专利权)人:此芯科技集团有限公司,
类型:发明
国别省市:
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