一种用于MZI结构的防串扰多模干涉耦合器及应用方法技术

本发明专利技术公开了一种用于MZI结构的防串扰多模干涉耦合器及应用方法，耦合器具体包括：一个单模输入波导一个多模干涉区波导、两个单模输出波导、两个杂散光输出波导和两个杂散光干涉区波导和两个金属吸收区；所述金属吸收区、所述杂散光输出波导、所述多模干涉区波导和所述单模输出波导顺序相连，耦合器以单模输入波导为轴对称。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成光学器件，具体涉及一种用于mzi结构的防串扰多模干涉耦合器及应用方法。

技术介绍

1、近年来，薄膜铌酸锂(简称tfln)成为热门研究的方向。由于其高集成度，低成本，低功耗等一系列优势，发展势头迅猛，未来有望在多个应用领域替代传统ln材料。传统的光纤陀螺通过体铌酸锂实现模式起偏和滤光，但由于器件结构尺寸较大，分光等操作无法在片上实现。对于tfln，由于其集成度更高，因此可以在片上实现多种功能。较高的集成度以及薄膜化的器件结构设计也带来了新的问题，例如波导中泄露的杂散光会在片上对其他结构造成干扰导致片上起偏效果降低等问题。在波导传输中这种泄露情况并不严重；但在mmi区域，由于波导宽度的变化导致模式失配，以及反向传输的相干相消光全部转化为杂散光等问题，使得在对偏振度要求较高的应用场景下需要对mmi的结构进行优化。

技术实现思路

1、本专利技术针对上述问题，本专利技术提供了一种用于mzi结构的防串扰多模干涉耦合器，该设计为降低tfln上mzi结构的多模干涉耦合器引入的串扰提供了可行性，为绝缘体上薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于MZI结构的防串扰多模干涉耦合器，其特征在于，所述耦合器包括基底层、一个单模输入波导、一个多模干涉区波导、两个单模输出波导、两个杂散光输出波导、两个杂散光干涉区波导和两个金属吸收区；

2.根据权利要求1所述的用于MZI结构的防串扰多模干涉耦合器，其特征在于，所述杂散光输出波导的输入端是S型弯曲波导。

3.根据权利要求2所述的用于MZI结构的防串扰多模干涉耦合器，其特征在于，所述S型弯曲波导包括一段直波导和一段弯曲波导。

4.根据权利要求3所述的用于MZI结构的防串扰多模干涉耦合器，其特征在于，所述直波导的长度为5-50μm，弯曲波导的长度为...

【技术特征摘要】

1.一种用于mzi结构的防串扰多模干涉耦合器，其特征在于，所述耦合器包括基底层、一个单模输入波导、一个多模干涉区波导、两个单模输出波导、两个杂散光输出波导、两个杂散光干涉区波导和两个金属吸收区；

2.根据权利要求1所述的用于mzi结构的防串扰多模干涉耦合器，其特征在于，所述杂散光输出波导的输入端是s型弯曲波导。

3.根据权利要求2所述的用于mzi结构的防串扰多模干涉耦合器，其特征在于，所述s型弯曲波导包括一段直波导和一段弯曲波导。

4.根据权利要求3所述的用于mzi结构的防串扰多模干涉耦合器，其特征在于，所述直波导的长度为5-50μm，弯曲波导的长度为15-20μm。

5.根据权利要求1所述的用于mzi结构的防串扰多模干涉耦合器，其特征在于，所述基底层从下到上依次为：硅衬底层、埋氧层、铌酸锂平板层、铌酸锂波导层、金属吸收层和介质...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶诗琦，袁帅，孙昊骋，
申请(专利权)人：武汉安湃光电有限公司，
类型：发明
国别省市：