【技术实现步骤摘要】
本技术涉及氯硅烷合成,具体而言,涉及一种氯硅烷合成设备。
技术介绍
1、氯硅烷合成是指氯化氢和硅在高温条件下发生反应,通过控制反应温度使生成的氯硅烷产物中的主要成分是氯硅烷,然后通过冷凝的方式将气体中的氯硅烷冷凝下来的过程。
2、现有技术中的氯硅烷合成装置,其要求输入的氯化氢的体积纯度在85%以上,在进行反应时,一般都是靠其自身的反应热来维持反应所需要的温度,但是如果输入的氯化氢的体积纯度低于85%,则其自身反应热的热量难以维持反应的持续进行,当反应温度低于一定的要求时,反应便会发生停止,不利于氯硅烷的合成。
技术实现思路
1、本技术的主要目的在于提供一种氯硅烷合成设备,以解决现有技术中当输入的氯化氢体积纯度低于85%时,由于无法长时间无法维持反应段温度会造成反应段内反应会停止,从而无法生成氯硅烷的问题。
2、为了实现上述目的,根据本技术的一个方面,提供了一种氯硅烷合成设备,氯硅烷合成设备包括:氯化氢供给装置,氯化氢供给装置具有第一出料口;
3、预热装置
...【技术保护点】
1.一种氯硅烷合成设备,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的氯硅烷合成设备,其特征在于,所述预热装置(3)包括:
3.根据权利要求2所述的氯硅烷合成设备,其特征在于,所述预热装置(3)还包括:
4.根据权利要求1至3中任一项所述的氯硅烷合成设备,其特征在于,所述氯硅烷合成设备还包括:
5.根据权利要求1至3中任一项所述的氯硅烷合成设备,其特征在于,所述尾气处理装置包括:
6.根据权利要求5所述的氯硅烷合成设备,其特征在于,所述尾气处理装置还包括:
7.根据权利要求6所述的氯硅烷合成设备,其
...【技术特征摘要】
1.一种氯硅烷合成设备,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的氯硅烷合成设备,其特征在于,所述预热装置(3)包括:
3.根据权利要求2所述的氯硅烷合成设备,其特征在于,所述预热装置(3)还包括:
4.根据权利要求1至3中任一项所述的氯硅烷合成设备,其特征在于,所述氯硅烷合成设备还包括:
5.根据权利要求1至3中任一项所述的氯硅烷合成设备,其特征在于,所述尾气处理装置包括:
【专利技术属性】
技术研发人员:司文学,李果,杨永亮,张升学,张志刚,郑红梅,
申请(专利权)人:中国恩菲工程技术有限公司,
类型:新型
国别省市:
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