一种用于辉光放电质谱仪的花瓣型磁场增强与调控装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及辉光放电质谱分析领域，提供一种用于辉光放电质谱仪的花瓣型磁场增强与调控装置，包括绝缘板和磁体；绝缘板上设有绕绝缘板周向排列设置的第一通孔和第二通孔；磁体包括位于第一通孔的第一磁体和位于第二通孔的第二磁体，第二磁体在绝缘板径向方向长度小于第一磁体在绝缘板径向方向长度，且第二磁体相对邻近第一磁体靠近绝缘板圆心的一端。本发明专利技术的第一磁体和第二磁体绕绝缘板周向排列设置，第一磁体能够增强磁场强度，第二磁体能够在中心位置产生更多的磁场振荡峰；而且花瓣状分布的磁体可以通过调整第一磁体和第二磁体的长度、数量和排列方式，灵活地改变磁场的分布和强度，以适应不同实验需求的不同尺寸的溅射坑，具有更好的灵活性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及辉光放电质谱分析，进一步地涉及一种用于辉光放电质谱仪的花瓣型磁场增强与调控装置。

技术介绍

1、辉光放电质谱在深度分析时容易产生溅射坑形貌不平整，具体表现为溅射坑底部中间高，两边深。这种不平坦的溅射坑形貌说明了溅射过程的不均匀，大大降低了材料分析的准确性和分辨率。因此目前辉光放电质谱尝试使用磁场装置来改善此问题，例如通过同心圆磁场装置对增强中心区域的磁场，可以改善溅射坑的整体平坦度。但是同心圆磁场装置其同心圆状磁体的结构相对固定，虽然同心圆状磁体也能增强中心区域的磁场，但其磁场分布相对较为单一，难以通过简单的调整实现复杂的磁场分布，同时其对中心区域的磁场的提升幅度相对较小，即对局部信号优化的能力有限。而且同心圆状磁体的磁场分布主要依赖于球形和环形磁体的尺寸，难以适应较大范围的溅射区域。

技术实现思路

1、针对上述技术问题，本专利技术的目的在于提供一种用于辉光放电质谱仪的花瓣型磁场增强与调控装置，第一磁体和第二磁体绕所述绝缘板周向排列设置，形成花瓣状的磁体结构，第一磁体能够增强磁场强度，第二磁体能本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于辉光放电质谱仪的花瓣型磁场增强与调控装置，其特征在于，包括绝缘板和磁体；

2.根据权利要求1所述的一种用于辉光放电质谱仪的花瓣型磁场增强与调控装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的一种用于辉光放电质谱仪的花瓣型磁场增强与调控装置，其特征在于，

4.根据权利要求1-3任一项所述的一种用于辉光放电质谱仪的花瓣型磁场增强与调控装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的一种用于辉光放电质谱仪的花瓣型磁场增强与调控装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的一种用于辉光放电质谱仪的花瓣型磁场增强与调控装置，其特征在于，...

【技术特征摘要】

1.一种用于辉光放电质谱仪的花瓣型磁场增强与调控装置，其特征在于，包括绝缘板和磁体；

2.根据权利要求1所述的一种用于辉光放电质谱仪的花瓣型磁场增强与调控装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的一种用于辉光放电质谱仪的花瓣型磁场增强与调控装置，其特征在于，

4.根据权利要求1-3任一项所述的一种用于辉光放电质谱仪的花瓣型磁场增强与调控装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的一种用于辉光放电质谱仪的花瓣型磁场增强与调控装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的一种用于辉光放电质谱仪的花瓣型磁场增强与调控...

【专利技术属性】
技术研发人员：何成根，钱荣，徐静，李显，刘安琦，蒲子轩，高捷，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：