一种快速定位的离子刻蚀系统技术方案

本技术涉及半导体领域，具体是一种快速定位的离子刻蚀系统，包括受动力源驱动直线行进后骤停的刻蚀治具，刻蚀治具表面沿刻蚀治具行进方向开设有用于定位基座的基座定位槽；自上而下，基座定位槽呈收口状设计，沿刻蚀治具行进方向，基座定位槽前端开设有前导向斜面，基座定位槽后端开设有二段式的斜面，包括自下而上依次设置的后第一导向斜面以及后第二导向斜面，后第二导向斜面的坡度大于后第一导向斜面的坡度。本技术可使各基座前后位置与离子刻蚀位置保持一致，从而顺利进行离子刻蚀，避免基座音叉的振动臂位置前后不对应而产生电阻异常问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体领域，具体是一种快速定位的离子刻蚀系统。

技术介绍

1、随着技术的进步以及市场应用的变化，石英晶体谐振器呈现向小型化、高精度、低功耗的发展趋势。其次，石英晶体谐振器向更高精度与更高稳定度方向发展。石英晶体谐振器逐渐小型化、薄片化和片式化，为其提高精度和稳定度提出更大挑战。从市场应用角度看，石英晶体谐振器为电子产品提供稳定的时钟频率，其精度和稳定度对下游产品的质量、性能以及后期维护成本具有至关重要的影响。

2、现有小型化音叉产品如专利号“cn219999347u”中所述，包括两组平行布置的振动臂，音叉产品固定在产品的基座上后，需要在音叉产品两组振动臂的指定位置上进行离子刻蚀。现有离子刻蚀往往是先将产品的基座放置到刻蚀治具的定位槽内，刻蚀治具定位槽的槽口设计的比基座尺寸大，使基座能顺利放入定位槽内。基座放入定位槽内后，需要人工调整基座的前后位置，使基座上音叉的振动臂位置与离子刻蚀的位置前后对应，如果前后位置不对应，易导致产品电阻异常；通过人工调整基座位置费时费力，效率极低，因此亟待解决。

<b>技术实现思路...

【技术保护点】

1.一种快速定位的离子刻蚀系统，其特征在于，包括受动力源驱动直线行进后骤停的刻蚀治具(1)，刻蚀治具(1)表面沿刻蚀治具(1)行进方向开设有用于定位基座的基座定位槽(11)；自上而下，基座定位槽(11)呈收口状设计，沿刻蚀治具(1)行进方向，基座定位槽(11)前端开设有前导向斜面(111)，基座定位槽(11)后端开设有二段式的斜面，包括自下而上依次设置的后第一导向斜面(112)以及后第二导向斜面(113)，后第二导向斜面(113)的坡度大于后第一导向斜面(112)的坡度。

2.根据权利要求1所述的一种快速定位的离子刻蚀系统，其特征在于，后第一导向斜面(112)的顶面与前导向斜...

【技术特征摘要】

1.一种快速定位的离子刻蚀系统，其特征在于，包括受动力源驱动直线行进后骤停的刻蚀治具(1)，刻蚀治具(1)表面沿刻蚀治具(1)行进方向开设有用于定位基座的基座定位槽(11)；自上而下，基座定位槽(11)呈收口状设计，沿刻蚀治具(1)行进方向，基座定位槽(11)前端开设有前导向斜面(111)，基座定位槽(11)后端开设有二段式的斜面，包括自下而上依次设置的后第一导向斜面(112)以及后第二导向斜面(113)，后第二导向斜面(113)的坡度大于后第一导向斜面(112)的坡度。

2.根据权利要求1所述的一种快速定位的离子刻蚀系统，其特征在于，后第一导向斜面(112)的顶面与前导向斜面(111)底面之间的间距，与基座的长度相对应。

3.根据权利要求1或2所述的一种快速定位的离子刻蚀系统，其特征在于，前导向斜面(111)的坡度与后第二导向斜面(113)的坡度均为七十五度，后第一导向斜面(112)的坡度为三十度。

4.根据权利要求1或2所述的一种快速定位的离子刻蚀系统，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：董书霞，陈维彦，吕成，王磊，李伟，
申请(专利权)人：合肥晶威特电子有限责任公司，
类型：新型
国别省市：