一种MHz频率下宽温低损耗锰镁铁氧体材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种MHz频率下宽温低损耗锰镁铁氧体材料及其制备方法。锰镁铁氧体材料包含主成分和辅助成分。主成分由三氧化二铁、氧化镁、氧化锰和氧化钴构成。辅助成分包含碳酸钙、二氧化硅、五氧化二钽。所述锰锌铁氧体材料的制备步骤包含：配料、一次球磨；预烧；二次球磨；造粒；成型；烧结。本发明专利技术制备的锰镁铁氧体在高频条件下具有较低的功率损耗，在0～140℃的超宽温范围内，功率损耗随温度变化较小，具有良好的高频宽温低损耗性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属软磁功率铁氧体，涉及一种mhz频率下宽温低损耗锰镁铁氧体材料及其制备方法。

技术介绍

1、随着5g通信技术的发展和第三代宽禁带半导体广泛的商用，功率电子器件朝着高频化、小型化和高能效化的方向加速发展，这为软磁铁氧体的发展提供了动力。软磁mnzn铁氧体具有电阻率高、功率损耗低、成本低等显著优点，被广泛应用于各种电力电子器件。但高频软磁铁氧体的发展滞后于高频功率器件的需求。宽带隙半导体的应用使功率器件有可能工作在mhz频段，这要求铁氧体在mhz范围内的频率具有非常好的性能，然而，当工作频率达到mhz时，mnzn铁氧体的pcv通常会急剧增加，这降低了功率器件的能效，从而阻碍了mnzn铁氧体在这种高频条件下的应用。

2、在mhz频率下，造成软磁铁氧体性能恶化的主要原因是涡流损耗和剩余损耗的急剧增加。涡流损耗在高于100khz的较高频率下变得非常重要，并取决于多晶铁氧体的电阻率，可以通过添加合适的掺杂剂在晶界处形成高电阻晶界，来有效的降低涡流损耗。剩余损耗被推测是由畴壁共振和自旋共振引起的损耗。畴壁共振仅在多畴晶粒中在mhz频率下才变得显著，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MHz频率下宽温低损耗锰镁铁氧体材料，包括主成分和辅助成分，其特征在于：所述主成分以摩尔百分比计，由以下组分构成：Fe2O353.20～55.20mol％，MgO 0.1～0.4mol％，Co3O4 0.33～0.43mol％，MnO余量；

2.根据权利要求1所述一种MHz频率下宽温低损耗锰镁铁氧体材料，其特征在于：

3.制备如权利要求1-2任一项所述一种MHz频率下宽温低损耗锰镁铁氧体材料的方法，其特征在于：所述方法包括：

4.根据权利要求3所述方法，其特征在于，所述一次球磨的转速为120r/min，球磨时间为16h-24h。

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【技术特征摘要】

1.一种mhz频率下宽温低损耗锰镁铁氧体材料，包括主成分和辅助成分，其特征在于：所述主成分以摩尔百分比计，由以下组分构成：fe2o353.20～55.20mol％，mgo 0.1～0.4mol％，co3o4 0.33～0.43mol％，mno余量；

2.根据权利要求1所述一种mhz频率下宽温低损耗锰镁铁氧体材料，其特征在于：

3.制备如权利要求1-2任一项所述一种mhz频率下宽温低损耗锰镁铁氧体材料的方法，其特征在于：所述方法包括：

4.根据权利要求3所述方法，其特征在于，所述一次球磨的转速为120r/min，球磨时间为16h-24h。

5.根据权利要求3所述方法，其特征在于，马弗炉的预烧温度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：应耀，夏雁龙，车声雷，乔梁，郑精武，李涓，余靓，
申请(专利权)人：浙江工业大学，
类型：发明
国别省市：