抗蚀剂下层膜形成用组合物制造技术

一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含聚合物(A)、具有疏水性取代基的化合物(B)和溶剂(C)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂下层膜、层叠体、半导体组件的制造方法和图型形成方法。

技术介绍

1、在以往的半导体装置的制造中，使用抗蚀剂组合物通过光刻进行微细加工。所述微细加工是在硅晶圆等的半导体基板上形成光致抗蚀剂组合物的薄膜，在其上透过描绘有组件的图型的掩模图型照射紫外线等的活性光线，进行显影，将获得的光致抗蚀剂图型作为保护膜对基板进行基板蚀刻处理，由此在基板表面形成对应所述光致抗蚀剂图型的微细凹凸的加工法。近年来，随着半导体装置的高集成化的发展，所使用的活性光线除了以往使用的i射线(波长365nm)、krf准分子激光(波长248nm)、arf准分子激光(波长193nm)以外，也研究了在最先进的微细加工中euv光(波长13.5nm)或eb(电子束)的实际应用。伴随于此，由半导体基板等的影响导致的抗蚀剂图型形成不良成为大的问题。因此，为了解决此问题，广泛地研究在抗蚀剂与半导体基板之间设置抗蚀剂下层膜的方法。

2、专利文献1公开了包含具有卤素原子的萘环的光刻用下层膜形成组合物。专利文献2公开了卤素化抗反射膜。专利文献3公开了抗蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含聚合物(A)、具有疏水性取代基的化合物(B)和溶剂(C)。

2.如权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述聚合物(A)为异氰脲酸系聚合物、聚酯系聚合物、丙烯酸系聚合物和聚醚中的至少任一者。

3.如权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述聚合物(A)为单元结构中具有羟基的聚合物。

4.如权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述化合物(B)的所述疏水性取代基为可被取代的芳基或可被取代的碳原子数1～10的烷基。

5.如权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述溶剂(C)包含选自烷撑二醇单...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含聚合物(a)、具有疏水性取代基的化合物(b)和溶剂(c)。

2.如权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述聚合物(a)为异氰脲酸系聚合物、聚酯系聚合物、丙烯酸系聚合物和聚醚中的至少任一者。

3.如权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述聚合物(a)为单元结构中具有羟基的聚合物。

4.如权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述化合物(b)的所述疏水性取代基为可被取代的芳基或可被取代的碳原子数1～10的烷基。

5.如权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述溶剂(c)包含选自烷撑二醇单烷基醚和烷撑二...

【专利技术属性】
技术研发人员：绪方裕斗，田村护，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：