一种基于量子点/共聚物复合薄膜的双模态忆阻器及其制备方法技术

一种基于量子点/共聚物复合薄膜的双模态忆阻器及其制备方法，属于非易失性存储器技术领域。器件结构顺序为Al顶电极、CsPbBr<subgt;3</subgt;/EVA复合薄膜功能层、FTO底电极，整个器件以玻璃为基底；本发明专利技术包括量子点的合成及提纯、复合溶液的制备、忆阻器件的制备等步骤，本发明专利技术通过将钙钛矿CsPbBr<subgt;3</subgt;与乙烯‑醋酸乙烯共聚物EVA结合起来形成CsPbBr<subgt;3</subgt;/EVA复合薄膜阻变层，通过调节施加电压可以实现不同的电阻开关行为，该器件具有良好的循环耐久性和长时间的数据保持能力；本发明专利技术制备的忆阻器双脉冲易化特性的易化程度最高可达77.8％，表明该器件在短时突触可塑性方面具有较强的信号增强能力，具有广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于属于非易失性存储器，具体涉及一种基于量子点/共聚物复合薄膜的双模态忆阻器及其制备方法。

技术介绍

1、随着人工智能的不断发展，人们对于大型数据集的可用性和使用图形处理单元来实现反向传播算法对人工神经网络的训练要求越来越高。尤其对下一代数字通信的高效可靠的存储设备的兴趣迅速增长，要求对存储设备的新方法予以特别关注。神经形态计算领域，可能对下一代计算和人工智能产生深远的影响。

2、忆阻器也应运而生，它也称为阻变存储器或忆变阻抗器，属于非易失性存储器中的一种，是一种基于忆阻效应的新型存储器件，它的主要结构是由电极、功能层、电极组成的三明治结构。忆阻效应是指在材料中存在一种内部状态，在外部电压或电流作用下，这种状态可以发生可逆性改变，从而导致材料的电阻发生变化。忆阻器利用这种效应实现存储器件的存储功能。忆阻器具有快速擦除、低功耗、高密度集成等优点，被认为是下一代存储器件的重要发展方向之一。它在逻辑运算、神经网络、模式识别等领域有着广泛的应用前景，有望成为未来存储器件领域的重要突破之一，推动计算机和信息技术的发展。hp实验室在2008年首次本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于量子点/共聚物复合薄膜的双模态忆阻器的制备方法，其特征在于：其步骤如下，

2.如权利要求1所述的一种基于量子点/共聚物复合薄膜的双模态忆阻器的制备方法，其特征在于：步骤S1中，是将三颈烧瓶与真空泵及N2装置连接并密封；随后在室温下交替进行抽真空与通入N2的操作，以去除体系内的水分和氧气。

3.如权利要求1所述的一种基于量子点/共聚物复合薄膜的双模态忆阻器的制备方法，其特征在于：步骤S3中，是将真空度控制在10-4Pa以下，蒸镀速率保持在

4.一种基于量子点/共聚物复合薄膜的双模态忆阻器，其特征在于：是由权利要求1～3任意一项所述的制备方法制...

【技术特征摘要】

1.一种基于量子点/共聚物复合薄膜的双模态忆阻器的制备方法，其特征在于：其步骤如下，

2.如权利要求1所述的一种基于量子点/共聚物复合薄膜的双模态忆阻器的制备方法，其特征在于：步骤s1中，是将三颈烧瓶与真空泵及n2装置连接并密封；随后在室温下交替进行抽真空与通入n2的操作，以去除体系内的水...

【专利技术属性】
技术研发人员：张佳旗，王禹惠，李文彤，谌伙伙，潘建勇，
申请(专利权)人：吉林大学，
类型：发明
国别省市：