【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储器,尤其是涉及一种保持电流确定方法及相关装置。
技术介绍
1、相变存储器(pcm,phase-change memory)是一种非易失性存储器,相变存储器中的存储单元通过改变材料物理状态确定其存储状态,存储状态包括晶态(1态)和非晶态(0态),从而通过两种存储状态存储数据信息。保持电流是维持写操作的最小电流,在通过写操作确定各个存储单元的存储状态的过程中,写操作的电流波形有多个阶段需要写操作电流维持在保持电流处,能否准确测量存储单元的保持电流,决定了写操作的功耗和写入延迟。
2、相关技术中,难以直接测量得到准确的保持电流,通常通过调整写操作电流波形中一个波形,以阈值电压最低为判断标准,将得到阈值电压的对应波形确定为保持电流。
3、然而,相关技术中的保持电流确定方式会受到其他写操作电流波形的叠加干扰,即不同阶段的写操作电流对阈值电压均存在影响,导致通过写操作电流的波形确定的保持电流不够准确。
技术实现思路
1、针对上述问题,本申请提供一种保持电流确定
...【技术保护点】
1.一种保持电流确定方法,其特征在于,所述方法包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,若所述第i次第一测试电流小于所述第i-1次第一测试电流,则所述根据N次阈值电压反馈结果指示的阈值电压震荡现象,确定所述目标存储单元的保持电流,包括:
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据N次阈值电压反馈结果指示的阈值电压震荡现象,确定所述目标存储单元的保持电流,包括:
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,第一距离为施加所述第一测试电流的驱动电路与所
...【技术特征摘要】
1.一种保持电流确定方法,其特征在于,所述方法包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,若所述第i次第一测试电流小于所述第i-1次第一测试电流,则所述根据n次阈值电压反馈结果指示的阈值电压震荡现象,确定所述目标存储单元的保持电流,包括:
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据n次阈值电压反馈结果指示的阈值电压震荡现象,确定所述目标存储单元的保持电流,包括:
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,第一距离为施加所述第一测试电流的驱动电路与所述目标存储单元的距离,第二距离为施加所述第二测试电流的驱动电路与所述目标存储单元的距离为第二距离,所述第一距离与所述第二距离不同,所述方法还包括:
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:彭文林,
申请(专利权)人:新存科技武汉有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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