【技术实现步骤摘要】
本技术涉及氢气检测,尤其涉及一种气相色谱法测定氢气中痕量杂质的富集装置。
技术介绍
1、气相色谱仪针对不同的氢气中的不同气体杂质有各不相同的检出限,如,ph3采用fpd检测器可达0.1×10-6(体积分数),fid测定ch4在0.1×10-6(体积分数),tcd测定氢中n2、o2等均在1×10-6(体积分数)以上,现有的氢气中痕量的气体杂质在常规的气相色谱仪的上机检测时,会受到检出限的限制,从而不能满足检测要求。
2、现有技术cn207601025u公开了一种应用于气相色谱法测定氢气中痕量杂质的富集装置,利用浓缩柱在低温条件下对一些沸点温度高于冷源的杂质气体吸附作用,以达到对气体杂质的富集作用,富集后的气体经载气带入色谱仪检测,从而进一步降低相应杂质检测的检出限,进而提高自动化效率,同时,提高杂质气体的气相色谱检测分析的准确性。
3、但是上述的富集装置的加热接触面积较小,导致富集后的杂质气体的受热不均匀,从而使得部分杂质气体会附着在富集管上,进而降低了对氢气中痕量杂质的分析结果的准确度。
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...【技术保护点】
1.一种气相色谱法测定氢气中痕量杂质的富集装置,包括安全外壳,其特征在于,
2.如权利要求1所述的气相色谱法测定氢气中痕量杂质的富集装置,其特征在于,
3.如权利要求1所述的气相色谱法测定氢气中痕量杂质的富集装置,其特征在于,
4.如权利要求1所述的气相色谱法测定氢气中痕量杂质的富集装置,其特征在于,
5.如权利要求1所述的气相色谱法测定氢气中痕量杂质的富集装置,其特征在于,
6.如权利要求5所述的气相色谱法测定氢气中痕量杂质的富集装置,其特征在于,
7.如权利要求6所述的气相色谱法测定氢气中痕量
...【技术特征摘要】
1.一种气相色谱法测定氢气中痕量杂质的富集装置,包括安全外壳,其特征在于,
2.如权利要求1所述的气相色谱法测定氢气中痕量杂质的富集装置,其特征在于,
3.如权利要求1所述的气相色谱法测定氢气中痕量杂质的富集装置,其特征在于,
4.如权利要求1所述的气相色谱法测定氢...
【专利技术属性】
技术研发人员:张云飞,宋书奇,孙大国,王伟,吴海雷,王志高,
申请(专利权)人:苏州睿分气体技术有限公司,
类型:新型
国别省市:
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