【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种改善多晶硅残留缺陷的方法。
技术介绍
1、现有技术的化学气相沉积机台上进行多晶硅硬掩膜(hm)氧化层沉积的基线工艺中，存在微小缺陷(多晶硅残留)，缺陷图谱呈现特殊的半边晶圆分布模式(如图1所示)。已有缺陷数据统计表明，在非连续生产批次中，首个卡匣(第一卡)的首片晶圆缺陷率显著高于其他槽位(slot)。
2、为解决上述问题，需要提出一种新型的改善多晶硅残留缺陷的方法。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种改善多晶硅残留缺陷的方法，用于解决现有技术中化学气相沉积机台上进行多晶硅硬掩膜氧化层沉积的基线工艺中，存在微小缺陷(多晶硅残留)的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种改善多晶硅残留缺陷的方法，包括：
3、步骤一、提供化学气相沉积机台以及待淀积硬掩膜层的产品，所述产品上形成有多晶硅层；
4、步骤二、在所述等化学气相沉积机台的工艺腔内壁以及工艺腔中各部...
【技术保护点】
1.一种改善多晶硅残留缺陷的方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的改善多晶硅残留缺陷的方法，其特征在于：步骤一中的所述硬掩膜层的材料为氧化层。
3.根据权利要求1所述的改善多晶硅残留缺陷的方法，其特征在于：步骤二中的所述部件包括：密封圈、射频等离子体反应管、紧固件、气体混合室。
4.根据权利要求2所述的改善多晶硅残留缺陷的方法，其特征在于：步骤二中的所述腔体预沉积层的材料为氧化层。
5.根据权利要求4所述的改善多晶硅残留缺陷的方法，其特征在于：步骤二中利用700至的淀积速率形成所述腔体预沉积层。
<...【技术特征摘要】
1.一种改善多晶硅残留缺陷的方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的改善多晶硅残留缺陷的方法，其特征在于：步骤一中的所述硬掩膜层的材料为氧化层。
3.根据权利要求1所述的改善多晶硅残留缺陷的方法，其特征在于：步骤二中的所述部件包括：密封圈、射频等离子体反应管、紧固件、气体混合室。
4.根据权利要求2所述的改善多晶硅残留缺陷的方法，其特征在于：步骤二中的所述腔体预沉积层的材料为氧化层。
5.根据权利要求4所述的改善多晶硅残留缺陷的方法，其特征在于：步骤二中利用700至的淀积速率形成所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈翔，刘善鹏，王瑞瀚，刘金亮，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。