1,4-二芳基-2-氟-1-丁烯-3-醇化合物和它们在制备1,4-二芳基-2-氟-1,3-丁二烯和1,4-二芳基-2-氟-2-丁烯化合物中的应用制造技术

本发明专利技术提供了新的结构式（Ⅰ）的１，４－二芳基－２－氟－１－丁烯－３－醇化合物、制备这些式（Ⅰ）化合物的方法和这些式（Ⅰ）化合物在制备式（Ⅱ）的１，４－二芳基－２－氟－１，３－丁二烯化合物与式（Ⅲ）的１，４－二芳基－２－氟－２－丁烯化合物中的应用。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
1，4-二芳基-2-氟-1-丁烯-3-醇化合物和它们在制备1，4-二芳基-2-氟-1，3-丁二烯和1，4-二芳基-2-氟-2-丁烯化合物中的应用本专利技术背景EP 811593-A1中描述了1，4-二芳基-2-氟-1，3-丁二烯化合物、它们的制备方法和它们作为中间体在制备1，4-二芳基-2-氟-2-丁烯杀虫剂和杀螨剂中的应用。EP 811593-A1中描述的制备1，4-二芳基-2-氟-1，3-丁二烯化合物的方法需要使用卤化鏻化合物。但由于所需的卤化鏻化合物比较昂贵并且产生难以从1，4-二芳基-2-氟-1，3-丁二烯化合物中除去的不希望有的副产物，因此这些方法并不完全令人满意。因此，在技术上需要改进制备1，4-二芳基-2-氟-1，3-丁二烯化合物的方法，以避免使用卤化鏻化合物。因此，本专利技术的一个目的是提供一种新的化合物，该化合物在制备1，4-二芳基-2-氟-1，3-丁二烯化合物中是有用的。本专利技术的又一个目的是提供一种改进的制备1，4-二芳基-2-氟-1，3-丁二烯化合物的方法，它避免了使用卤化鏻化合物。本专利技术的另一个目的是提供一种改进的制备1，4-二芳基-2-氟-2-丁烯化合物的方法。对于本领域技术人员来说，从下面的描述和附带的中明显可以看出本专利技术的其它目的和优点。本专利技术概要本专利技术提供了结构式(I)的1，4-二芳基-2-氟-1-丁烯-3-醇化合物-->其中R为氢、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C3-C6环烷基或C3-C6卤代环烷基；Ar为被1-3个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯基，被1-3个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的1-或2-萘基，或被1-3个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的5或6元杂芳族环；和Ar1为被1-6个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯氧基苯基，被1-5个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯基，被1-5个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的联苯基，被1-5个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯氧基吡啶基，被1-5个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苄基吡啶基，被1-5个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苄基苯基，被1-5个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯甲酰苯基，被1-3个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4-->卤代烷氧基的任意组合任选取代的1-或2-萘基，或被1-3个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的5或6元杂芳族环。本专利技术也提供了一种制备结构式(II)的1，4-二芳基-2-氟-1，3-丁二烯化合物的新方法其中R为氢、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C3-C6环烷基或C3-C6卤代环烷基；Ar为被1-3个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯基，被1-3个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的1-或2-萘基，或被1-3个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的5或6元杂芳族环；和Ar1为被1-6个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯氧基苯基，被1-5个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯基，被1-5个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的联苯基，被1-5个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯氧基吡啶基，被1-5个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4-->卤代烷氧基的任意组合任选取代的苄基吡啶基，被1-5个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苄基苯基，被1-5个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯甲酰苯基，被1-3个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的1-或2-萘基，或被1-3个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的5或6元杂芳族环，该方法包括使结构式I的1，4-二芳基-2-氟-1-丁烯-3-醇化合物与磺酰氯或磺酸酐化合物以及碱反应其中Ar、Ar1和R如上文定义。本专利技术进一步提供了一种制备结构式III的1，4-二芳基-2-氟-2-丁烯化合物的新方法其中R为氢、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C3-C6环烷基或C3-C6卤代环烷基；Ar为被1-3个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4-->卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯基，被1-3个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的1-或2-萘基，或被1-3个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的5或6元杂芳族环；和Ar1为被1-6个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯氧基苯基，被1-5个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯基，被1-5个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的联苯基，被1-5个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯氧基吡啶基，被1-5个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苄基吡啶基，被1-5个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苄基苯基，被1-5个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯甲酰苯基，被1-3个卤素、C1-C4烷基、C本文档来自技高网...

【技术保护点】
结构式Ⅰ的化合物＊＊＊ （Ⅰ），其中Ｒ为氢、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］卤代烷基、Ｃ↓［３］－Ｃ↓［６］环烷基或Ｃ↓［３］－Ｃ↓［６］卤代环烷基；Ａｒ为被１－３个卤素、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基、Ｃ↓［ １］－Ｃ↓［４］卤代烷基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷氧基或Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯基，被１－３个卤素、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］卤代烷基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷氧基或Ｃ↓［１］－Ｃ↓ ［４］卤代烷氧基的任意组合任选取代的１－或２－萘基，或被１－３个卤素、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］卤代烷基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷氧基或Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］卤代烷氧基的任意组合任选取代的５或６元杂芳族环；和 Ａｒ↓［１］为被１－６个卤素、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］卤代烷基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷氧基或Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯氧基苯基，被１－５个卤素、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基、Ｃ↓［１ ］－Ｃ↓［４］卤代烷基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷氧基或Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯基，被１－５个卤素、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］卤代烷基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷氧基或Ｃ↓［１］－Ｃ↓［ ４］卤代烷氧基的任意组合任选取代的联苯基，被１－５个卤素、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］卤代烷基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷氧基或Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯氧基吡啶基，被１－５个卤素、Ｃ ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］卤代烷基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷氧基或Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］卤代烷氧基的任意组合任选取代的苄基吡啶基，被１－５个卤素、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］卤代烷基、Ｃ↓［１ ］－Ｃ↓［４］烷氧基或Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］卤代烷氧基的任意组合任选取代的苄基苯基，被１－５个卤素、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］卤代烷基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷氧基或Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］卤代烷氧基的任意组合任选 取代的苯甲酰苯基，被１－３个卤素、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］卤代烷基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷氧基或Ｃ...

【技术特征摘要】
US 1998-11-16 09/1926801.结构式I的化合物其中R为氢、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C3-C6环烷基或C3-C6卤代环烷基；Ar为被1-3个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯基，被1-3个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的1-或2-萘基，或被1-3个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的5或6元杂芳族环；和Ar1为被1-6个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯氧基苯基，被1-5个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯基，被1-5个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的联苯基，被1-5个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯氧基吡啶基，被1-5个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苄基吡啶基，被1-5个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苄基苯基，被1-5个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯甲酰苯基，被1-3个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的1-或2-萘基，或被1-3个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的5或6元杂芳族环。2.权利要求1的化合物，其中R为C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C3-C6环烷基或C3-C6卤代环烷基；Ar为被1-3个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯基；和Ar1为被1-6个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的3-苯氧基苯基，被1-5个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的3-联苯基，或被1-5个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的3-苄基苯基。3.权利要求2的化合物，其中R为异丙基或环丙基；Ar为被1-3个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯基；和Ar1为被1-6个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的3-苯氧基苯基。4.权利要求1的化合物，选自1-(对-氯苯基)-1-环丙基-2-氟-4-(4-氟-3-苯氧基苯基)-1-丁烯-3-醇和1-(α，α，α-三氟-对-甲苯基)-1-环丙基-2-氟-4-(4-氟-3-苯氧基苯基)-1-丁烯-3-醇。5.制备结构式II的1，4-二芳基-2-氟-1，3-丁二烯化合物的方法其中R为氢、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C3-C6环烷基或C3-C6卤代环烷基；Ar为被1-3个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯基，被1-3个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的1-或2-萘基，或被1-3个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的5或6元杂芳族环；和Ar1为被1-6个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯氧基苯基，被1-5个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯基，被1-5个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的联苯基，被1-5个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯氧基吡啶基，被1-5个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苄基吡啶基，被1-5个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苄基苯基，被1-5个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯甲酰苯基，被1-3个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的1-或2-萘基，或被1-3个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的5或6元杂芳族环，该方法包括使结构式I的1，4-二芳基-2-氟-1-丁烯-3-醇化合物其中Ar、Ar1和R如上文定义，与磺酰氯或磺酸酐化合物及碱反应。6.权利要求5的方法，其中所述磺酰氯选自苯磺酰氯、被取代的苯磺酰氯、C1-C6烷基磺酰氯和C1-C6卤代烷基磺酰氯；所述磺酸酐选自苯磺酸酐、被取代的苯磺酸酐、C1-C6烷基磺酸酐和C1-C6卤代烷基磺酸酐。7.权利要求5的方法，其中所述碱选自碱金属氢化物、碱土金属氢化物、碱金属C1-C6醇盐、C1-C6烷基锂和二烷基氨化锂。8.权利要求7的方法，其中所述碱为碱金属氢化物。9.权利要求5的方法，其中1，4-二芳基-2-氟-1-丁烯-3-醇化合物在溶剂的存在下与磺酰氯或磺酸酐化合物及碱反应。10.权利要求9的方法，其中所述溶剂选自醚、羧酸酰胺、二烷基亚砜、腈、芳烃和卤代芳烃和它们的混合物。11.权利要求5的方法，其中1，4-二芳基-2-氟-1-丁烯-3-醇化合物在温度范围从约-78℃至约120℃条件下与磺酰氯或磺酸酐化合物及碱反应。12.权利要求5的方法，其中R为C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C3-C6环烷基或C3-C6卤代环烷基；Ar为被1-3个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯基；和Ar1为被1-6个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的3-苯氧基苯基，被1-5个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的3-联苯基，或被1-5个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的3-苄基苯基。13.权利要求12的方法，其中R为异丙基或环丙基；Ar为被1-3个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯基；和Ar1为被1-6个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的3-苯氧基苯基。14.权利要求5的方法，用于制备选自1-(对-氯苯基)-1-环丙基-2-氟-4-(4-氟-3-苯氧基苯基)-1，3-丁二烯和1-(α，α，α-三氟-对-甲苯基)-1-环丙基-2-氟-4-(4-氟-3-苯氧基苯基)-1，3-丁二烯的化合物。15.制备结构式III的1，4-二芳基-2-氟-2-丁烯化合物的方法其中R为氢、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C3-C6环烷基或C3-C6卤代环烷基；Ar为被1-3个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯基，被1-3个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的1-或2-萘基，或被1-3个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的5或6元杂芳族环；和Ar1为被1-6个卤素、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4卤代烷氧基的任意组合任选取代的苯氧基苯...

【专利技术属性】
技术研发人员：Y胡，DA亨特，
申请(专利权)人：BASF公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]