【技术实现步骤摘要】
本文描述的一些示例实施例涉及存储器件，更具体地，涉及包括多裸片的半导体存储器件以及包括所述半导体存储器件的存储系统。
技术介绍
1、随着半导体存储器件的工作速度一直提高，在半导体存储器件与存储器控制器之间将进行交互的信号的摆动宽度(例如，信号的值的范围)通常一直减小。然而，随着摆动宽度减小，在半导体存储器件与存储器控制器之间传送的信号可能因工艺、电压和温度(pvt)变化所引起的阻抗失配而更容易失真。可以在半导体存储器件的发送阶段和/或接收阶段采用用于调节半导体存储器件的输出阻抗和/或端子阻抗的阻抗校准操作。阻抗(zq)校准操作可以被称为输入/输出(i/o)偏移消除操作或zq校准操作。
技术实现思路
1、专利技术构思的一些示例实施例提供了一种包括通过阻抗焊盘彼此通信的多裸片的半导体存储器件。
2、一些示例实施例提供了一种包括具有通过阻抗焊盘彼此通信的多裸片的半导体存储器件的存储系统。
3、专利技术构思的一些示例实施例提供了一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：外...
【技术保护点】
1.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述主裸片进一步被配置为：响应于从外部装置接收到的阻抗校准命令来执行所述第一阻抗校准操作。
3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述多个从裸片中的每一个从裸片进一步被配置为：基于根据所述第一完成信号的计数信号和指定所述多个从裸片中的相应从裸片的熔丝信号来生成所述标识信号。
4.根据权利要求3所述的半导体存储器件，其中，所述标识信号被顺序地激活。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述主裸片还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述主裸片进一步被配置为：响应于从外部装置接收到的阻抗校准命令来执行所述第一阻抗校准操作。
3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述多个从裸片中的每一个从裸片进一步被配置为：基于根据所述第一完成信号的计数信号和指定所述多个从裸片中的相应从裸片的熔丝信号来生成所述标识信号。
4.根据权利要求3所述的半导体存储器件，其中，所述标识信号被顺序地激活。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述主裸片还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其中，所述阻抗校准电路包括：
7.根据权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述校准控制器进一步被配置为：忽略所述第一标识信号并且基于所述阻抗校准命令激活所述校准使能信号，并且
8.根据权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述校准电路包括：
9.根据权利要求6所述的半导体存储器件，其中，
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