多层陶瓷电容器及其制造方法技术

本公开提供一种多层陶瓷电容器及其制造方法。所述多层陶瓷电容器可包括：电容器主体，包括介电层和内电极层；以及外电极，设置在电容器主体外部，其中，介电层可包括至少一个介电晶粒，其中，介电晶粒可包括包含钡（Ba）和钛（Ti）的钛酸钡基主成分以及副成分，其中，副成分可包括作为第一副成分的钐（Sm）以及第二副成分，其中，第二副成分可包括镧（La）、铈（Ce）、镨（Pr）、钕（Nd），钷（Pm）、铕（Eu）、钆（Gd）、铽（Tb）、镝（Dy）、钬（Ho）、铒（Er）、铥（Tm）、镱（Yb）、镥（Lu）或者它们的组合，并且其中，基于100原子%的钛（Ti），包括在介电晶粒中的第二副成分的量可在1.2原子%至2.0原子%的范围内。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种多层陶瓷电容器及其制造方法。

技术介绍

1、作为使用陶瓷材料的电子组件，存在电容器、电感器、压电元件、压敏电阻器、热敏电阻器等。在陶瓷电子组件之中，多层陶瓷电容器（mlcc）由于诸如尺寸小、电容高、容易安装等优点而可用在各种电子装置中。

2、例如，多层陶瓷电容器（mlcc）可用在安装于各种电子产品（诸如图像装置（例如，液晶显示器（lcd）、等离子体显示面板（pdp）等）、计算机、个人便携式终端、智能手机等）的板上以用于对其充电或从其放电的片式电容器中。

3、近来，随着mlcc变得更加高度集成化，它们逐渐变得更薄，并且需要在薄层设计下确保高可靠性。

技术实现思路

1、本公开试图提供一种具有改善的dc偏置特性和可靠性的优异的多层陶瓷电容器。

2、另外，本公开试图提供一种制备多层陶瓷电容器的方法。

3、一种多层陶瓷电容器可包括：电容器主体，包括介电层和内电极层；以及外电极，设置在所述电容器主体外部，其中，所述介电层可包括至少一个介电晶粒，其中，所述介电晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多层陶瓷电容器，包括：

2.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第二副成分包括Tb、Dy或者它们的组合。

3.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中：

4.如权利要求3所述的多层陶瓷电容器，其中，所述壳中包括的所述第二副成分与所述核中包括的所述第二副成分的原子比在2至8的范围内。

5.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，基于100原子%的Ti，包括在所述介电晶粒中的Sm的量在0.01原子%至1.2原子%的范围内。

6.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中：

7.如权利要求6所述的多层陶瓷电容器，...

【技术特征摘要】

1.一种多层陶瓷电容器，包括：

2.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第二副成分包括tb、dy或者它们的组合。

3.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中：

4.如权利要求3所述的多层陶瓷电容器，其中，所述壳中包括的所述第二副成分与所述核中包括的所述第二副成分的原子比在2至8的范围内。

5.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，基于100原子%的ti，包括在所述介电晶粒中的sm的量在0.01原子%至1.2原子%的范围内。

6.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中：

7.如权利要求6所述的多层陶瓷电容器，其中，所述壳中包括的sm与所述核中包括的sm的原子比在1.2至2.5的范围内。

8.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述副成分还包括第三副成分，所述第三副成分包括al、si、mg、mn或者它们的组合。

9.如权利要求8所述的多层陶瓷电容器，其中，基于100原子%的ti，包括在所述介电晶粒中的所述第三副成分的量在0.1原子%至2.5原子%的范围内。

10.如权利要求8所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第三副成分包括al和si。

11.如权利要求10所述的多层陶瓷电容器，其中，sm与al和si之和的原子比在0.01至0.7的范围内。

12.如权利要求8所述的多层陶瓷电容器，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：金旻曦，田喜善，郑先珉，姜吉盛，李智煐，孔庸准，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：