【技术实现步骤摘要】
本技术涉及cvd炉,具体为一种cvd炉用分体式进气管。
技术介绍
1、化学气相沉积(以下简称为cvd)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法,是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术,包括大范围的绝缘材料,大多数金属材料和金属合金材料。
2、在授权公告号为cn213203193u的专利中,公开了一种cvd炉用分体式进气管,该通过其内管通过快速真空法兰与进气管主体连接,快速真空法兰采用聚四氟乙烯密封圈密封,采用卡箍固定快速真空法兰及密封圈,此结构在保证进气管气密性的同时,既方便进气管的组装、拆卸,又方便进气管的内管和外管的清洗,提高了进气管的清洗效率,保证了进气管内部的洁净度,提高了产品质量的稳定性,同时进气管主体内部下端通过等距三爪固定圆环固定内管。这种设置方便内管1在进气管主体8内部居中设置。
3、上述中的现有技术方案存在以下缺陷:上述专利中虽然能够通过等距三爪固定圆环固定内管,但是对于不同管径的内管,需要重新更换新的等距三爪固定圆环,导致分体式进气管使用较为不便,为此,提出一种cv
...【技术保护点】
1.一种CVD炉用分体式进气管,包括进气管主体(1),其特征在于:所述进气管主体(1)的内部安装有进气内管(2),所述进气管主体(1)的外侧设置有进气外管(3),所述进气管主体(1)的一端设置有居中组件;
2.根据权利要求1所述的一种CVD炉用分体式进气管,其特征在于:所述第一固定环(4)的外侧固定连接有数量为两个的凸块(7),两个所述凸块(7)的一侧均固定连接有连接杆(8),所述第二固定环(10)的外侧固定连接有数量为两个的连接块(9),所述连接块(9)固定连接于连接杆(8)的另一端。
3.根据权利要求1所述的一种CVD炉用分体式进气管,其特
...【技术特征摘要】
1.一种cvd炉用分体式进气管,包括进气管主体(1),其特征在于:所述进气管主体(1)的内部安装有进气内管(2),所述进气管主体(1)的外侧设置有进气外管(3),所述进气管主体(1)的一端设置有居中组件;
2.根据权利要求1所述的一种cvd炉用分体式进气管,其特征在于:所述第一固定环(4)的外侧固定连接有数量为两个的凸块(7),两个所述凸块(7)的一侧均固定连接有连接杆(8),所述第二固定环(10)的外侧固定连接有数量为两个的连接块(9),所述连接块(9)固定连接于连接杆(8)的另一端。
3.根据权利要求1所述的一种cvd炉用分体式进气管,其特征在于:所述第一连接螺栓(5)与所...
【专利技术属性】
技术研发人员:冯磊,
申请(专利权)人:常州艾恩希纳米镀膜科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。