【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术关于层积体晶片的制造方法及层积体晶片的制造装置。
技术介绍
0、现有技术
1、在各种产业制品中，具有根据用途的层积构造的层积体晶片已被广泛地利用。该种层积体晶片可通过例如，在将长条状的层积体片材切断成具有期望的外形形状的制品部分、与制品以外的不需要部分之后，将不需要部分去除来制造(参照专利文献1)。
2、近年来，根据用途的多样化，对层积体晶片所要求的形状以及构造越来越复杂化。于是，会有以下情况：在使用切断装置来切断层积体片材后，还进一步经过各种工序来制造层积体晶片。在像这样的层积体晶片的制造方法中，要使切断装置的动作、与在比切断装置更下游侧的工序完全地同步是困难的。因此，已在探讨的做法是：在通过切断装置之后，使载体片材弯曲来吸收切断装置与比切断装置更下游侧的工序的节拍时间(tact time)差，以连续地制造层积体晶片。切断装置的片材进给一般是间歇动作。因此，若紧接在层积体片材的切断后将不需要部分去除，会有层积体片材在非预期的处停止的疑虑，通常是在层积体片材的切断后，且已使载体片材弯曲后，连续地去除不需
【技术保护点】
1.一种层积体晶片的制造方法，包含以下工序：
2.如权利要求1所述的层积体晶片的制造方法，其中所述切断装置是在所述制品部分与所述不需要部分之间形成朝和所述载体片材的移动方向交叉的方向延伸的切断线。
3.如权利要求1或2所述的层积体晶片的制造方法，其中所述载体片材能够以依次通过所述切断装置、与位于远离所述切断装置的位置的其他的切断装置的方式移动，
4.如权利要求3所述的层积体晶片的制造方法，其还包含以下工序：
5.如权利要求4所述的层积体晶片的制造方法，其还包含以下工序：
6.如权利要求1或2所述的层积体晶片的...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种层积体晶片的制造方法，包含以下工序：
2.如权利要求1所述的层积体晶片的制造方法，其中所述切断装置是在所述制品部分与所述不需要部分之间形成朝和所述载体片材的移动方向交叉的方向延伸的切断线。
3.如权利要求1或2所述的层积体晶片的制造方法，其中所述载体片材能够以依次通过所述切断装置、与位于远离所述切断装置的位置的其他的切断装置的方式移动，
4.如权利要求3所述的层积体晶片的制造方法，其还包含以下工序：
...【专利技术属性】
技术研发人员：臼井诚刚，铃木大悟，道下空，森永总司，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：
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