温控介质窗及其形成、工作方法、等离子体刻蚀系统技术方案

一种温控介质窗及其形成、工作方法、等离子体刻蚀系统，用于等离子体工艺装置，包括：第一介质窗；与所述第一介质窗层叠相接的第二介质窗，所述第一介质窗与第二介质窗之间具有加热装置；与所述第二介质窗层叠相接的第三介质窗，所述第二介质窗与第三介质窗之间具有冷却装置。所述加热装置位于第一介质窗和第二介质窗之间，所述冷却装置位于第二介质窗和第三介质窗之间，降低介质窗内各部分之间的温差，进而使得所述介质窗的受热以及冷却更加均匀，保证了介质窗使用的完整性以及安全性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体刻蚀，尤其涉及一种温控介质窗及其形成、工作方法、等离子体刻蚀系统。

技术介绍

1、等离子刻蚀机，又叫等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等，应用于半导体行业。感应耦合等离子体刻蚀法是化学过程和物理过程共同作用的结果。介质窗的温度会敏感地影响等离子体刻蚀工艺的刻蚀均匀性及颗粒污染控制。精确控制介质窗表面的温度分布，有利于改善电感耦合等离子体的均匀分布，进而实现晶圆表面的均匀刻蚀。

2、然而，现有技术中的介质窗表面的温差较大，容易导致介质窗炸裂风险，且影响后续对晶圆刻蚀的效果。

技术实现思路

1、本专利技术解决的技术问题是提供一种温控介质窗及其形成、工作方法、等离子体刻蚀系统，提高介质窗表面温度的均匀性以及介质窗在工作过程中的安全性和完整性，进而提高等离子体刻蚀系统对晶圆刻蚀的效果。

2、为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种温控介质窗，用于等离子体工艺装置，包括：第一介质窗；与所述第一介质窗层叠相接的第二介质窗，所述第一介质窗与第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种温控介质窗，用于等离子体工艺装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的温控介质窗，其特征在于，所述加热装置在所述第三介质窗表面的投影包围全部所述冷却装置。

3.如权利要求1所述的温控介质窗，其特征在于，所述加热装置包括：加热流道以及位于加热流道内的加热介质。

4.如权利要求1所述的温控介质窗，其特征在于，所述加热装置包括：导热丝。

5.如权利要求1所述的温控介质窗，其特征在于，所述冷却装置包括：冷却流道以及位于冷却流道内的冷却介质。

6.如权利要求5所述的温控介质窗，其特征在于，所述冷却流道为螺旋形，所述螺旋形的冷...

【技术特征摘要】

1.一种温控介质窗，用于等离子体工艺装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的温控介质窗，其特征在于，所述加热装置在所述第三介质窗表面的投影包围全部所述冷却装置。

3.如权利要求1所述的温控介质窗，其特征在于，所述加热装置包括：加热流道以及位于加热流道内的加热介质。

4.如权利要求1所述的温控介质窗，其特征在于，所述加热装置包括：导热丝。

5.如权利要求1所述的温控介质窗，其特征在于，所述冷却装置包括：冷却流道以及位于冷却流道内的冷却介质。

6.如权利要求5所述的温控介质窗，其特征在于，所述冷却流道为螺旋形，所述螺旋形的冷却流道之间的间距相等。

7.如权利要求5所述的温控介质窗，其特征在于，所述加热装置在所述第三介质窗表面的投影包围部分所述冷却装置。

8.如权利要求7所述的温控介质窗，其特征在于，所述冷却流道为螺旋形，所述螺旋形的冷却流道之间的间距由内向外逐圈增大。

9.如权利要求1所述的温控介质窗，其特征在于，还包括温度传感器，用于检测所述介质窗各部分之间的温差范围。

10.如权利要求9所述的温控介质窗，其特征在于，还包括：控制模块，所述控制模块用于：根据所述温差范围与预设阈值范围，对所述介质窗进行加热或冷却。

11.如权利要求10所述的温控介质窗，其特征在于，所述控制模块还用于：当所述温差范围小于预设阈值范围时，开启所述加热装置，以对所述介质窗进行加热。

12.如权利要求10所述的温控介质窗，其特征在于，所述控制模块还用于：当所述温差范围大于预设阈值范围时，开启所述冷却装置，以对所述介质窗进行冷却。

13.如权利要求10所述的温控介质窗，其特征在于，所述控制模块还用于：当所述温差范围处于预设阈值范围内，关断所述加热装置以及冷却装置。

14.如权利要求10所述的温控介质窗，其特征在于，所述预设阈值范围为20摄氏度至30摄氏度。

15.一种温控介质窗的形成方法，其特征在于，包括：

16.如权利要求15所述的温控...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭颂，李春桥，秦彬鑫，石小丽，贺小明，张亦涛，胡冬冬，许开东，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：