AMR磁阻传感器制造技术

本发明专利技术公开了一种AMR磁阻传感器，主要解决现有AMR传感器检测精度易受外界干扰磁场影响的技术问题。其包括各桥臂分别对应串接有磁阻元件的惠斯通电桥，相邻所述桥臂处磁阻元件的磁化方向的角度差处于180±Δ°范围内。通过设置反铁磁层，且该反铁磁层与磁阻效应层的形状相同，相比于现有AMR传感器，可省去繁琐复杂的曝光工序，从而达到简化工艺的目的。且由于传感器电桥电路中相邻桥臂处磁阻元件的磁化方向基本相反，从而使得存在外界干扰磁场时，干扰磁场所导致的不利影响可相互抵消，避免传感器灵敏度发生较大变化，由此保证传感器的磁场测量准确度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及传感器，具体涉及一种amr磁阻传感器。

技术介绍

1、某些金属或半导体在遇到外加磁场时，其电阻值会随着外界磁场的大小而发生变化，这种现象叫做磁阻效应，其中电阻的变化量称之为磁阻。对于有各向异性特性的强磁性金属，其电阻与磁场和电流间夹角有关，当外部磁场与磁体的内建磁场具有一定夹角时，磁体内部的磁化矢量会发生偏转，从而使得薄膜电阻降低，上述特性通常被称之为各向异性磁电阻效应。

2、以坡莫合金的各向异性磁阻（amr）效应为例，坡莫合金的磁阻会因磁场与电流方向间夹角θ的变化而变化，且其磁阻与磁场特性是非线性的。为实现对外界磁场值的测量，amr传感器通常由四个磁阻构成惠斯通电桥，施加供电电源后，电流流经各磁阻；当于电桥上施加偏置磁场时，两个相对放置的磁阻的磁化方向会朝着电流方向转动，这两个磁阻的电阻阻值会增加，而另外两个相对放置的磁阻的磁化方向则会朝着与电流相反的方向转动，该两个磁阻的电阻值减小，从而通过电桥的两输出端输出压差信号，从而得到外界磁场值。

3、然而，当外界存在干扰磁场时，例如存在垂直于检测磁场方向的干扰磁场，若该干本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种AMR磁阻传感器，其特征在于，包括各桥臂分别对应串接有磁阻元件的惠斯通电桥，相邻所述桥臂处磁阻元件的磁化方向的角度差处于180±Δ°范围内。

2.根据权利要求1所述的AMR磁阻传感器，其特征在于，Δ≤5。

3.根据权利要求1所述的AMR磁阻传感器，其特征在于，外界磁场为零时，至少一个所述磁阻元件的磁化方向与磁阻元件的长轴方向呈一定夹角设置。

4.根据权利要求1所述的AMR磁阻传感器，其特征在于，所述磁阻元件包括磁阻效应层、与所述磁阻效应层对应磁性耦合且用于向所述磁阻效应层对应施加交换作用磁场Heb的反铁磁层。

5.根据权利要求4所述...

【技术特征摘要】

1.一种amr磁阻传感器，其特征在于，包括各桥臂分别对应串接有磁阻元件的惠斯通电桥，相邻所述桥臂处磁阻元件的磁化方向的角度差处于180±δ°范围内。

2.根据权利要求1所述的amr磁阻传感器，其特征在于，δ≤5。

3.根据权利要求1所述的amr磁阻传感器，其特征在于，外界磁场为零时，至少一个所述磁阻元件的磁化方向与磁阻元件的长轴方向呈一定夹角设置。

4.根据权利要求1所述的amr磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡永福，田佳佳，赵琪玮，孟倩雯，王灿灿，吴少杰，陈辰，魏然，王坦，李海梅，
申请(专利权)人：郑州大学，
类型：发明
国别省市：