【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体工艺设备领域，尤其涉及一种水冷屏和导流结构。
技术介绍
1、随着电池生产技术的提升，光伏产业不断朝着降低成本、减少硅材料的损耗和提高生产效率的方向发展。直拉硅单晶拥有生产成本低、晶体质量和性能好的优点，目前已广泛应用于光伏产业领域，在直拉法制备太阳能级硅单晶中，为满足行业需求，晶体生长热系统的设计朝着提升晶体生长速度和降低加热器功率的方向发展。其中，提高晶体生长速度主要是通过提高硅单晶的提拉速度来实现的。在进行硅单晶的提拉时，需要使用水冷屏进行冷却，为了提升水冷屏的散热效率，一般都是通过提高水流量或改变水冷屏壁厚的方式，改善效果有限，且改善潜力不足。
技术实现思路
1、本申请旨在至少解决相关技术中存在的水冷屏的散热效率有待提升的技术问题。为此，本申请提出一种水冷屏和导流结构，可以提高水冷屏的散热效率，从而提升拉晶允许的最高，并提升带走杂质的能力，附加一定降氧效果，同时减少气氛对拉晶固液界面的干扰，帮助提升拉晶效率，确保设备稳定运行，改善大尺寸热场径向温度梯度以及晶棒电性能分...
【技术保护点】
1.一种水冷屏，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的水冷屏，其特征在于，所述通道还包括连接在所述第一段与所述第二段之间的第三段。
3.根据权利要求1所述的水冷屏，其特征在于，所述第一段的靠近所述第二段的一端的流通面积与所述第二段的背离所述第一段的一端的流通面积的比值为A，满足：1≤A≤2。
4.根据权利要求1所述的水冷屏，其特征在于，所述第二段的壁面与水平方向的倾角为α，满足：25°≤α≤35°。
5.根据权利要求1所述的水冷屏，其特征在于，所述第一段的壁面与竖直方向的倾角为β，满足：12°≤β≤15°。
...【技术特征摘要】
1.一种水冷屏，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的水冷屏，其特征在于，所述通道还包括连接在所述第一段与所述第二段之间的第三段。
3.根据权利要求1所述的水冷屏，其特征在于，所述第一段的靠近所述第二段的一端的流通面积与所述第二段的背离所述第一段的一端的流通面积的比值为a，满足：1≤a≤2。
4.根据权利要求1所述的水冷屏，其特征在于，所述第二段的壁面与水平方向的倾角为α，满足：25°≤α≤35°。
5.根据权利要求1所述的水冷屏，其特征在于，所述第一段的壁面与竖直方向的倾角为β，满足：1...
【专利技术属性】
技术研发人员：张福林，马玉花，李亮，任杰，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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