一种在SiCp/2024Al基板表面制备hBN陶瓷涂层的方法技术

本发明专利技术公开一种在SiC<subgt;p</subgt;/2024Al基板表面制备hBN陶瓷涂层的方法，属于表面处理技术领域；一种在SiC<subgt;p</subgt;/2024Al基板表面制备hBN陶瓷涂层的方法包括：对SiC<subgt;p</subgt;/2024Al基板进行抛光打磨，后经超声清洗后烘干；将硅酸钠、氢氧化钠、六方氮化硼纳米粉体和表面活性成分添加到去离子水中，超声分散得到复合电解液；将复合电解液置于不锈钢电解槽中，不锈钢电解槽连接至等离子体放电系统的电源负极；将预处理后的SiC<subgt;p</subgt;/2024Al基板连接至等离子体放电系统的电源正极，并浸没于复合电解液中；等离子体放电系统运行，在正向和负向脉冲作用下，驱动纳米颗粒迁移至SiC<subgt;p</subgt;/2024Al基板表面，参与反应共沉积，在基板表面生长出致密均匀的大厚度高电绝缘hBN陶瓷涂层hBN陶瓷涂层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于表面处理，具体涉及一种在sicp/2024al基板表面制备hbn陶瓷涂层的方法。

技术介绍

1、随着微电子行业的迅速发展，封装材料与制备技术成为研究热点。特别是在计算机工业中，集成度增大、运行速度提高以及功率增加，对封装材料的要求越来越严格。传统散热衬底面临诸多问题：金属散热衬底(如铝合金、铜合金等)与芯片热膨胀系数不匹配，易引发热应力导致分层；有机散热衬底(如聚酰亚胺、环氧树脂等)在高温或高功率环境下稳定性差、导热性能差；陶瓷散热衬底(如氮化铝、氮化硅等)加工难度大，成本高。因此，传统材料的局限性制约了电子封装技术的发展。

2、sicp/2024al复合材料作为新型散热衬底材料，具有明显优势。首先，碳化硅颗粒的加入，弥补了铝合金导热性差的不足。同时，通过合理设计碳化硅颗粒的含量与粒径，可调整热膨胀系数，降低与芯片的热应力，减少热失配。此外，该材料具备良好的机械强度和抗热变形能力，在高温、高功率条件下表现出优异的结构稳定性。与传统材料相比，sicp/2024al复合材料加工难度较低、成本较低，适合大规模生产。在高功率电子设备中，如本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种在SiCp/2024Al基板表面制备hBN陶瓷涂层的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种在SiCp/2024Al基板表面制备hBN陶瓷涂层的方法，其特征在于，等离子体放电系统在正向脉冲电压450V～650V、频率500Hz～1000Hz、正向占空比10％～20％和复合电解液温度保持在30℃～40℃的条件下运行，同时引入负向脉冲电压40-100V、正负脉冲比1:1、负向占空比10％～20％，诱发低温软等离子放电现象，驱动纳米颗粒迁移至SiCp/2024Al基板表面，并参与反应共沉积。

3.根据权利要求1所述的一种在SiCp/2024...

【技术特征摘要】

1.一种在sicp/2024al基板表面制备hbn陶瓷涂层的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种在sicp/2024al基板表面制备hbn陶瓷涂层的方法，其特征在于，等离子体放电系统在正向脉冲电压450v～650v、频率500hz～1000hz、正向占空比10％～20％和复合电解液温度保持在30℃～40℃的条件下运行，同时引入负向脉冲电压40-100v、正负脉冲比1:1、负向占空比10％～20％，诱发低温软等离子放电现象，驱动纳米颗粒迁移至sicp/2024al基板表面，并参与反应共沉积。

3.根据权利要求1所述的一种在sicp/2024al基板表面制备hbn陶瓷涂层的方法，其特征在于，sicp/2024al基板中包括：2024铝合金和碳化硅颗粒，碳化硅颗粒的体积分数为45％-55％。

4.根据权利要求3所述的一种在sicp/2024al基板表面制备hbn陶瓷涂层的方法，其特征在于，所述碳化硅颗粒的粒径为3μm～60μm。

5.根据权利要求3所述的一种在sicp/2024al基板表面制备hbn陶瓷涂层的方法，其特征在于，所述2024铝合金成分包括：铜元素3.8～4.9wt％、硅元素0.5wt％、锰元素0....

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋春燕，费庆国，陈强，王亚明，马晗，魏子晨，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：