【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种激光腔室、气体激光装置及电子器件的制造方法。
技术介绍
1、近年来,在半导体曝光装置中,随着半导体集成电路的微细化及高集成化,要求分辨率的提高。因此,正在推进从曝光用光源放出的光的短波长化。例如,作为曝光用的气体激光装置,使用输出波长约248nm的激光的krf准分子激光装置、以及输出波长约193nm的激光的arf准分子激光装置。
2、krf准分子激光装置及arf准分子激光装置的自然振荡光的谱线宽度宽至350pm~400pm。因此,若由使krf以及arf激光那样的紫外线透过的材料构成投影透镜,则有时会产生色差。其结果,分辨率可能降低。因此,需要将从气体激光装置输出的激光的谱线宽度窄带化至能够忽略色差的程度。因此,在气体激光装置的激光谐振器内,为了使谱线宽度窄带化,有时具备包含窄带化元件(标准具、光栅等)的窄带化模块(line narrowing module:lnm)。将谱线宽度被窄带化的气体激光装置称为窄带化气体激光装置。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1:
...【技术保护点】
1.一种激光腔室,其收纳以在第一方向上对置的方式配置的一对电极,且构成为能够导入激光气体,其中,
2.根据权利要求1所述的激光腔室,其中,所述放电部比所述肩部更向所述第一方向突出。
3.根据权利要求1所述的激光腔室,其中,在将与所述第一方向及所述第二方向正交的方向设为第三方向的情况下,所述旋转椭圆面的旋转轴为第一截面和第二截面的交线,所述第一截面是利用与所述第一方向及所述第三方向平行的平面切断所述端部而得到的截面,所述第二截面是利用与所述第一方向及所述第二方向平行的平面切断所述端部而得到的截面。
4.根据权利要求3所述的激光腔室,其
...【技术特征摘要】
1.一种激光腔室,其收纳以在第一方向上对置的方式配置的一对电极,且构成为能够导入激光气体,其中,
2.根据权利要求1所述的激光腔室,其中,所述放电部比所述肩部更向所述第一方向突出。
3.根据权利要求1所述的激光腔室,其中,在将与所述第一方向及所述第二方向正交的方向设为第三方向的情况下,所述旋转椭圆面的旋转轴为第一截面和第二截面的交线,所述第一截面是利用与所述第一方向及所述第三方向平行的平面切断所述端部而得到的截面,所述第二截面是利用与所述第一方向及所述第二方向平行的平面切断所述端部而得到的截面。
4.根据权利要求3所述的激光腔室,其中,所述第一截面及所述第二截面中的所述端部的截面形状相同。
5.根据权利要求4所述的激光腔室,其中,所述旋转椭圆面是以短轴作为所述旋转轴的扁平椭圆面。
6.根据权利要求5所述的激光腔室,其中,在设所述旋转椭圆面的长轴半径为l1,设所述旋转椭圆面的短轴半径为l2的情况下,满足2≤l1/l2≤10的关系。
7.根据权利要求1所述的激光腔室,其中,所述放电部与所述肩部由单一的材料一体成...
【专利技术属性】
技术研发人员:巽贵浩,
申请(专利权)人:极光先进雷射株式会社,
类型:发明
国别省市:
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