表面具有自组装纳米膜层的铜材及其制备方法、负极集流体、负极极片和电池单体技术

本申请公开了一种表面具有自组装纳米膜层的铜材及其制备方法、负极集流体、负极极片和电池单体。所述铜材包括铜材基体和设于所述铜材基体至少部分表面的膜层；所述膜层包括配位结构Cu(BF<subgt;4</subgt;<supgt;‑</supgt;)<subgt;4</subgt;<supgt;2+</supgt;以及与所述配位结构Cu(BF<subgt;4</subgt;<supgt;‑</supgt;)<subgt;4</subgt;<supgt;2+</supgt;通过分子间作用力相连的噻吩，所述噻吩包括噻吩化合物和噻吩聚合物中的一种或多种；所述膜层的厚度为20~100nm。根据本申请实施例，能够提高铜材的导电性，同时提高铜材的耐腐蚀性能和高温抗氧化性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及一种表面具有自组装纳米膜层的铜材及其制备方法、负极集流体、负极极片和电池单体。

技术介绍

1、相关技术中在对铜表面进行防腐处理以阻隔氧气、水分等腐蚀介质对铜基底的氧化时，通常采用涂层技术，例如使用防锈漆、清漆、树脂或蜡剂涂覆在铜表面形成物理隔离层。

2、涂层技术在铜表面形成膜层的厚度均是微米级别的，甚至更高，这会降低铜的导电性。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种表面具有自组装纳米膜层的铜材及其制备方法、负极集流体、负极极片和电池单体，能够提高铜材的导电性，同时提高铜材的耐腐蚀性能和高温抗氧化性能。

2、第一个方面，本申请实施例提供一种表面具有自组装纳米膜层的铜材，铜材包括铜材基体和设于铜材基体至少部分表面的膜层；膜层包括配位结构cu(bf4-)42+以及与配位结构cu(bf4-)42+通过分子间作用力相连的噻吩，噻吩包括噻吩化合物和噻吩聚合物中的一种或多种；膜层的厚度为20~100nm。

3、本申请实施例提供的膜层具有噻吩，可以提高膜层的导电性和抗氧化性；而本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种表面具有自组装纳米膜层的铜材，其特征在于，所述铜材包括铜材基体和设于所述铜材基体至少部分表面的膜层；

2.根据权利要求1所述表面具有自组装纳米膜层的铜材，其特征在于，所述配位结构Cu(BF4-)42+与所述噻吩的分子量比为1：（0.8~1.2）。

3.根据权利要求1所述表面具有自组装纳米膜层的铜材，其特征在于，所述噻吩化合物包括3-噻吩甲醇、3,4-乙烯二氧噻吩和3-己基噻吩中的一种或多种，

4.根据权利要求1所述表面具有自组装纳米膜层的铜材，其特征在于，所述配位结构Cu(BF4-)42+通过含有四氟硼酸根的离子液体与铜离子配位得到。

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【技术特征摘要】

1.一种表面具有自组装纳米膜层的铜材，其特征在于，所述铜材包括铜材基体和设于所述铜材基体至少部分表面的膜层；

2.根据权利要求1所述表面具有自组装纳米膜层的铜材，其特征在于，所述配位结构cu(bf4-)42+与所述噻吩的分子量比为1：（0.8~1.2）。

3.根据权利要求1所述表面具有自组装纳米膜层的铜材，其特征在于，所述噻吩化合物包括3-噻吩甲醇、3,4-乙烯二氧噻吩和3-己基噻吩中的一种或多种，

4.根据权利要求1所述表面具有自组装纳米膜层的铜材，其特征在于，所述配位结构cu(bf4-)42+通过含有四氟硼酸根的离子液体与铜离子配位得到。

5.根据权利要求1-4中任一项所述表面具有自组装纳米膜层的铜材，其特征在于，在20℃下，所述铜材的电阻率为2.05~2.80µω•cm。

6.一种表面具有自组装纳米膜层的铜材的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

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【专利技术属性】
技术研发人员：马厚义，陈春超，高翔，邱娟，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：