【技术实现步骤摘要】
本技术属于晶体生长，具体涉及一种晶体生长旋转测温平台装置。
技术介绍
1、温度是晶体生长最关键的参数，直接影响晶体生长过程，决定晶体的性能和质量。尤其是贴近坩埚的实际测量温度最能够直接反应实际的晶体生长情况，是监测晶体生长过程的重要手段，因此必须对晶体生长过程中坩埚相关点位的实际温度进行测量，进而精确控制温度以获得高质量的晶体。同时在晶体生长过程中，为了使各组分混合均匀，需要将坩埚旋转，通过旋转坩埚在液相中引入重复可控的强迫对流，减小生长界面前沿溶质边界层厚度，减小界面的凹陷深度，使晶体更稳定的生长。旋转坩埚也可以一定程度上减少由于炉体本身温场不严格对称对晶体带来的影响。
2、在测温时，通常采用热电偶对温度进行监测，但如果旋转坩埚，热电偶的导线会随着旋转而发生缠绕，导致无法在旋转中进行测温，造成设备故障。
3、因此，上述问题亟待解决。
技术实现思路
1、技术目的：为了克服以上不足，本技术提供一种晶体生长旋转测温平台装置，在保证旋转对中性的情况下，避免旋转过程中热电偶...
【技术保护点】
1.一种晶体生长旋转测温平台装置，其特征在于：包括支撑架（1），所述支撑架（1）下端连接有电机（2），所述支撑架（1）上端设有碗件（3），所述电机（2）的电机轴和碗件（3）驱动连接，所述碗件（3）在电机（2）驱动下旋转；所述碗件（3）和支撑架（1）之间设有导电滑环（4），所述碗件（3）设有的热电偶和导电滑环（4）电性连接，所述导电滑环（4）传送热电偶产生的信号。
2.根据权利要求1所述的晶体生长旋转测温平台装置，其特征在于：所述导电滑环（4）包括定子（41）和转子（42），所述定子（41）设于转子（42）外侧，所述转子（42）和碗件（3）连接，所述定子（4...
【技术特征摘要】
1.一种晶体生长旋转测温平台装置，其特征在于：包括支撑架（1），所述支撑架（1）下端连接有电机（2），所述支撑架（1）上端设有碗件（3），所述电机（2）的电机轴和碗件（3）驱动连接，所述碗件（3）在电机（2）驱动下旋转；所述碗件（3）和支撑架（1）之间设有导电滑环（4），所述碗件（3）设有的热电偶和导电滑环（4）电性连接，所述导电滑环（4）传送热电偶产生的信号。
2.根据权利要求1所述的晶体生长旋转测温平台装置，其特征在于：所述导电滑环（4）包括定子（41）和转子（42），所述定子（41）设于转子（42）外侧，所述转子（42）和碗件（3）连接，所述定子（41）和支撑架（1）连接，所述转子（42）绕定子（41）轴线旋转，所述转子（42）设有输入导线（421），所述定子（41）设有输出导线，所述定子（41）和转子（42）形成通路，所述输入导线（421）和输出导线导通，所述输入导线（421）和热电偶电性连接。
3.根据权利要求2所述的晶体生长旋转测温平台装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：王杜，王豆豆，高绪彬，
申请(专利权)人：苏州哥地光子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。