一种逐层原位生长法制备2D-MoS2/1D-CuPc复合材料及其应用制造技术

本发明专利技术提供一种逐层原位生长法制备二维‑硫化钼/一维酞菁铜(2D‑MoS<subgt;2</subgt;/1D‑CuPc)复合材料及其应用。所述复合材料由硫化钼(MoS<subgt;2</subgt;纳米片)及其表面的酞菁铜(CuPc)薄膜制成，其中，所述CuPc薄膜逐层原位生长于所述MoS<subgt;2</subgt;纳米片的表面形成复合材料。气敏传感测试结果表明，所述复合材料对氨气(NH<subgt;3</subgt;)、丙酮(C<subgt;3</subgt;H<subgt;6</subgt;O)和甲醛(CH<subgt;2</subgt;O)气体具有响应性能。此外，2D‑MoS<subgt;2</subgt;/1D‑CuPc复合材料对NH<subgt;3</subgt;的敏感性最高，对NH<subgt;3</subgt;的响应值达到0.29，响应和恢复时间分别为15s和12.5s。通过雷达图分析，在CH<subgt;2</subgt;O、C<subgt;3</subgt;H<subgt;6</subgt;O和NH<subgt;3</subgt;三种目标气体中，2D‑MoS<subgt;2</subgt;/1D‑CuPc复合材料表现出对于NH<subgt;3</subgt;选择性，实现了在室温下对三种目标气体的识别检测。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于材料领域，具体涉及一种逐层原位生长法制备2d-mos2/1d-cupc复合材料及其应用。

技术介绍

1、二硫化钼(mos2)作为典型的二维(2d)层状结构，因其独特的物理化学性质、高表面积比、低功率和温度，在材料制备和光电性能研究中具有很强的应用潜力。此外，mos2超高的比表面积、可调谐带隙(～1.8ev)以及出色的载流子迁移率使其对绝大部分有害气体分子具有高亲和力，使其在气体检测及气体传感器研究领域表现出巨大的应用前景。近年来，关于mos2及其复合材料的气敏性能研究已经有大量的相关文献报道，例如：王浩等人采用研磨辅助液相剥离法制备了基于n甲基吡咯烷酮(nmp)和乙腈(acn)两种常用研磨溶剂的mos2纳米片，结果表明，用nmp剥离的mos2纳米片对目标气体的灵敏度比acn剥离mos2纳米片更高，且nmp剥离的mos2纳米片对50-1000ppm的ch2o气体表现出快速响应和恢复特性，对100ppm ch2o的响应时间和恢复时间仅为11s和0.6s。hai等人通过机械剥离法得到了单层和多层mos2薄膜，并首次通过光刻技术制备了用于no气体检测本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.2D-MoS2/1D-CuPc复合材料，其特征在于，所述复合材料由MoS2纳米片及其表面的CuPc薄膜制成，其中，所述CuPc薄膜逐层原位生长于所述MoS2纳米片的表面形成复合材料；

2.制备权利要求1所述的复合材料的方法，包括如下步骤：1)通过研磨辅助液相剥离法制备获得MoS2纳米片；

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤1)的操作为：对MoS2原料进行研磨处理，干燥，将干燥后样品分散到乙醇溶液中，超声处理，离心，得到MoS2纳米片；

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤2)中，所述MoS2纳米片分散液的浓度为5-20mg/m...

【技术特征摘要】

1.2d-mos2/1d-cupc复合材料，其特征在于，所述复合材料由mos2纳米片及其表面的cupc薄膜制成，其中，所述cupc薄膜逐层原位生长于所述mos2纳米片的表面形成复合材料；

2.制备权利要求1所述的复合材料的方法，包括如下步骤：1)通过研磨辅助液相剥离法制备获得mos2纳米片；

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤1)的操作为：对mos2原料进行研磨处理，干燥，将干燥后样品分散到乙醇溶液中，超声处理，离心，得到mos2纳米片；

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤2)中，所述mos...

【专利技术属性】
技术研发人员：塔力哈尔·夏依木拉提，彭敏，陈国庆，陈佳瑶，
申请(专利权)人：新疆工程学院，
类型：发明
国别省市：