【技术实现步骤摘要】
本公开大体上涉及图像传感器。举例来说，本技术的若干实施例涉及具有反向偏压优化的横向溢流积分电容器(lofic)防滞后方法及相关联系统、装置及方法。
技术介绍
1、图像传感器已变得无处不在且现广泛用于数码相机、手机、摄像头以及医学、汽车及其它应用中。随着图像传感器集成到更广范围的电子装置中，期望通过装置架构设计及图像获取处理两者来以尽可能多的方式(例如分辨率、功耗、动态范围等)增强其功能性、性能度量及类似者。
2、典型图像传感器响应于来自外部场景的图像光入射于图像传感器上而操作。图像传感器包含具有吸收入射图像光的一部分且在吸收图像光之后产生图像电荷的光敏元件(例如光电二极管)的像素阵列。由像素光生的图像电荷可测量为列位线上的模拟输出图像信号，其依据入射图像光而变化。换句话说，所产生的图像电荷量与图像光的强度成比例，图像光被读出为来自列位线的模拟图像信号且转换成数字值以提供表示外部场景的信息。
技术实现思路
1、一方面，本公开提供一种方法，其包括：在像素的像素横向溢流积分电容器(l...
【技术保护点】
1.一种方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二时段在所述像素横向溢流积分电容器空闲时段内的所述第一时段之后发生，使得所述0V偏压在所述反向偏压施加于所述横向溢流积分电容器之后施加于所述横向溢流积分电容器。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二时段在所述像素横向溢流积分电容器空闲时段内的所述第一时段之前发生，使得所述0V偏压在所述反向偏压施加于所述横向溢流积分电容器之前施加于所述横向溢流积分电容器。
4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括在所述像素横向溢流积分电容器空闲时段期间，在第三时段内将所述0V偏压...
【技术特征摘要】
1.一种方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二时段在所述像素横向溢流积分电容器空闲时段内的所述第一时段之后发生，使得所述0v偏压在所述反向偏压施加于所述横向溢流积分电容器之后施加于所述横向溢流积分电容器。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二时段在所述像素横向溢流积分电容器空闲时段内的所述第一时段之前发生，使得所述0v偏压在所述反向偏压施加于所述横向溢流积分电容器之前施加于所述横向溢流积分电容器。
4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括在所述像素横向溢流积分电容器空闲时段期间，在第三时段内将所述0v偏压施加于所述像素的所述横向溢流积分电容器，其中所述第三时段在所述像素横向溢流积分电容器空闲时段内的所述第一时段之后发生，使得所述0v偏压在所述反向偏压施加于所述横向溢流积分电容器之后施加于所述横向溢流积分电容器。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一时段的持续时间比所述第二时段的持续时间长。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一时段的持续时间比所述第二时段的持续时间短。
7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括至少部分基于所述像素的应用、对应于所述像素或包含所述像素的图像传感器的硅测量、俘获于所述横向溢流积分电容器上的电荷的期望放电速率或其任何组合而调整由所述偏压电压源提供的所述偏压电压。
8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括至少部分基于所述像素的应用、对应于所述像素或包含所述像素的图像传感器的硅测量、期望放电准...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·米克尔森，L·邹，R·卡乐迪，
申请(专利权)人：豪威科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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