【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体激光器领域,特别是涉及一种半导体激光器。
技术介绍
1、目前,大多数多单管半导体激光器在合束时采用阶梯结构,底板放置半导体激光器芯片的位置被加工成一定间距的台阶。这种方案主要缺点在于:1、对底板台阶平行度及台阶间距的加工精度要求较高;2、由于台阶的存在使得冷却水道需倾斜加工,增大底板水道加工难度;3、台阶高度差导致半导体激光器芯片散热不均;4、为增加合束芯片数量必须压缩台阶间距,从而增大光学装调难度,降低产品良率;5光路在同一平面,激光器整体体积较大。
2、针对上述问题,一些专利技术通过倾斜光路替代台阶,分离单管半导体激光器芯片光路,降低台阶的不良影响。但上述方案受光路倾斜角变形影响严重,尤其随着芯片数量的增多,光路整形难度增加显著,并且无法减小激光体积。
技术实现思路
1、本申请主要提供一种半导体激光器,以解决现有半导体激光器中散热不均、光路整形装调难度大及体积大的问题。
2、为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供一种半导体激光器。所
...【技术保护点】
1.一种半导体激光器,其特征在于,所述半导体激光器包括:
2.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,各所述合束反射镜设置于同一高度处,所述第一安装面和所述第二安装面均为平面。
3.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,所述斜方棱镜的入射面满足下述式【1】及式【2】:
4.根据权利要求3所述的半导体激光器,其特征在于,所述斜方棱镜的入射面及出射面之间还设置有反射面,各所述准直光束入射至所述反射面时,在与所述第一安装面平行的平面内偏转-α。
5.根据权利要求3所述的半导体激光器,其特征在于,所述斜方棱镜的入射
...【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器,其特征在于,所述半导体激光器包括:
2.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,各所述合束反射镜设置于同一高度处,所述第一安装面和所述第二安装面均为平面。
3.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,所述斜方棱镜的入射面满足下述式【1】及式【2】:
4.根据权利要求3所述的半导体激光器,其特征在于,所述斜方棱镜的入射面及出射面之间还设置有反射面,各所述准直光束入射至所述反射面时,在与所述第一安装面平行的平面内偏转-α。
5.根据权利要求3所述的半导体激光器,其特征在于,所述斜方棱镜的入射面及出射面之间还设置有反射面,各所述准直光束入射至所述反射面时,在与所述第一安装面平行的平面内偏转180°-α。
6.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,所述底座包括设有所述安装面的底壁,所述壁座为连接所述底壁一侧的侧壁;或
7.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,所述底座包括设有所述安装面的底壁,所述壁座为连接于所述底壁上的隔板,从而将所述底壁的安装面划分...
【专利技术属性】
技术研发人员:蒋峰,吕张勇,刘赫,李权,邱小兵,李菡,徐俊秋,李永高,
申请(专利权)人:深圳市创鑫激光股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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