一种半导体电容器及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体电容器及其制作方法，涉及电容器技术领域，在所述GaAs衬底层上制备第一GaAs层+Al<subgt;x</subgt;Ga<subgt;1‑x</subgt;As层；刻蚀Al<subgt;x</subgt;Ga<subgt;1‑</subgt;<subgt;x</subgt;As层，露出GaAs层；湿法氧化Al<subgt;x</subgt;Ga<subgt;1‑x</subgt;As层；在第一GaAs层上制作第一电极，在湿法氧化Al<subgt;x</subgt;Ga<subgt;1‑</subgt;<subgt;x</subgt;As层上制作第二电极。一般的GaAs/Al<subgt;x</subgt;Ga<subgt;1‑x</subgt;As使用分子束外延或者金属有机气相沉积方法来制作，其厚度控制精准，材料缺陷少。通过湿法氧化形成的绝缘层上下被半导体层覆盖，形成金属/半导体/绝缘层/半导体层/金属的结构，该结构具有可靠性高、容值高、可集成的的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电容器，具体涉及一种半导体电容器及其制作方法。

技术介绍

1、gaas/alxga1-xas是制作单片微波集成电路(mmic)、半导体激光器(laser diode)，光电二极管(photo diode)等器件的重要材料。由于alxga1-xas和gaas晶格匹配，所以一般通过外延生长的方式，在gaas衬底上生长gaas/algaas双层或多层结构。上述的器件应用在在射频、光通讯等领域，一般需要使用额外的高速电容器来实现信号的耦合或者去耦。

2、以mmic为例，一般在晶圆上采用metal/sio2/metal或者metal/sinx/metal的结构来形成mim电容器，其容值一般低于1nf/mm2。mim电容器的可靠性偏低。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种半导体电容器及其制作方法，解决以上技术问题。

2、本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：

3、一种半导体电容器，包括gaas衬底层，所述gaas衬底层上制备gaas/algaas双层或多层本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体电容器，其特征在于，包括GaAs衬底层，所述GaAs衬底层上制备GaAs/AlGaAs双层或多层结构。

2.根据权利要求1所述的一种半导体电容器,其特征在于，在所述GaAs衬底层上制备第一GaAs层+A lxGa1-xAs层；

3.根据权利要求1所述的一种半导体电容器,其特征在于，在所述GaAs衬底层上制备第一GaAs层+A lxGa1-xAs层+第二GaAs层；

4.根据权利要求1所述的一种半导体电容器,其特征在于，在所述GaAs衬底层上制备GaAs/A lxGa1-xAs叠层；

5.根据权利要求1所述的一种半导体电容器,其...

【技术特征摘要】

1.一种半导体电容器，其特征在于，包括gaas衬底层，所述gaas衬底层上制备gaas/algaas双层或多层结构。

2.根据权利要求1所述的一种半导体电容器,其特征在于，在所述gaas衬底层上制备第一gaas层+a lxga1-xas层；

3.根据权利要求1所述的一种半导体电容器,其特征在于，在所述gaas衬底层上制备第一gaas层+a lxga1-xas层+第二gaas层；

4.根据权利要求1所述的一种半导体电容器,其特征在于，在所述gaas衬底层上制备gaas/a lxga1-xas叠层；

5.根据权利要求1所述的一种半导体电容器,其特征在于，该半导体电容器的容值密度在0.2...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐化勇，
申请(专利权)人：南京万熙微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：