限压传输门电路及电子设备制造技术

本发明专利技术提供了一种限压传输门电路以及电子设备，该电路包括第一晶体管，其耦接在信号输入节点和信号输出节点之间；偏置电压产生模块，用于基于P型输入对管的源极的电压，向第一晶体管的控制端提供偏置电压，使得信号输出节点的电压小于第二参考电压；P型输入对管，其第一输入端耦接至信号输出节点，第二输入端接收第一参考电压，其接地端接地。本发明专利技术的电路通过直接限制传输门电路的最高工作电压，在使得传输门电路具有更宽的电压通过范围的同时，兼顾了电路响应速度较快以及稳定性较好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电力电子领域，尤其涉及一种限压传输门电路及电子设备。

技术介绍

1、在高压电路应用中，为了保护由低压晶体管构成的内部电路元件免受意外高压的损害，通常在电路的输入级级联一个传输门电路元件，以限制输入信号的幅度。传输门电路能够有效地防止高电压输入信号对低压晶体管造成击穿，从而提高高压电路的稳定性和可靠性。

2、现有的传输门电路设计中，通常采用dmos晶体管(双极性金属氧化物半导体晶体管)作为核心元件。然而，dmos晶体管具有较高的阈值电压(vth)，通常大于1伏。这使得在输入信号传递到dmos晶体管时，输入信号的电压会遭受电压损失，这种损失显著减少了电路能够有效传输的电压范围，从而限制了传输门电路的性能。

3、因此，如何使得传输门电路具有更宽的电压通过范围，兼顾电路响应速度较快以及稳定性较好，已成为业界目前亟需解决的技术问题。

技术实现思路

1、本专利技术提供一种限压传输门电路及电子设备，解决了如何使得传输门电路具有更宽的电压通过范围，兼顾电路响应速度较快以及稳定性较好的技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种限压传输门电路，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的限压传输门电路，其特征在于，所述P型输入对管包括第一P型晶体管以及第二P型晶体管；

3.如权利要求2所述的限压传输门电路，其特征在于，所述第一P型晶体管以及所述第二P型晶体管均为PMOS管，或所述第一P型晶体管以及所述第二P型晶体管均为PNP管。

4.如权利要求2所述的限压传输门电路，其特征在于，所述偏置电压产生模块包括第二晶体管以及第一电流源；

5.如权利要求4所述的限压传输门电路，其特征在于，所述第二晶体管与所述第一晶体管的类型相同，且所述第二晶体管与所述第一晶体管相匹配...

【技术特征摘要】

1.一种限压传输门电路，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的限压传输门电路，其特征在于，所述p型输入对管包括第一p型晶体管以及第二p型晶体管；

3.如权利要求2所述的限压传输门电路，其特征在于，所述第一p型晶体管以及所述第二p型晶体管均为pmos管，或所述第一p型晶体管以及所述第二p型晶体管均为pnp管。

4.如权利要求2所述的限压传输门电路，其特征在于，所述偏置电压产生模块包括第二晶体管以及第一电流源；

5.如权利要求4所述的限压传输门电路，其特征在于，所述第二晶体管与所述第一晶体管的类型相同，且所述第二晶体管与所述第一晶体管相匹配。

6.如权利要求4所述的限压传输门电路，其特征在于，所述第一电流源包括具有第一支路和第二支路的第一电流镜，其中，所述第一支路用于接收参考电流，所述第二支路分别耦接至所述第二晶体管的第一端、所述第二晶体管的控制端以及所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：王飞，杨宇恒，李冬风，
申请(专利权)人：北京鸿翼芯汽车电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：