【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体封装,尤其涉及一种高膨胀系数玻璃及其制备方法和应用。
技术介绍
1、目前,玻璃通孔技术(through glass via,tgv)以高品质硼硅玻璃、石英玻璃为基材,通过种子层溅射、电镀填充、化学机械平坦化、rdl再布线,bump工艺等先进技术实现3d互联。先进封装领域的各种应用中,每片晶圆上通常需要数万个10μm-100μm直径的tgv并对其进行金属化,以获得所需要的导电性。但在一些具体应用条件下,需要更高膨胀系数的基材玻璃,例如膨胀系数超过100×10-7/℃、超过120×10-7/℃、甚至超过130×10-7/℃,但是该类型玻璃往往形成稳定性较差,具有较低的液相线粘度,使得超大膨胀系数大尺寸薄板得成型具有极大难度;另一方面,tgv工艺中比较成熟的激光诱导蚀刻工艺,需要使用酸液或碱液对诱导变性的玻璃进行化学腐蚀,常规超高膨胀系数玻璃具有较低的玻璃形成体含量,使得耐化学稳定性较差,在激光诱导蚀刻过程中出现不可控的腐蚀缺陷及较大的内壁粗糙度,特别是在深径比较大的情况下,问题尤为突出。
技术实现
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1.一种高膨胀系数玻璃,其特征在于,所述玻璃的成分以物质的量百分比计包括:SiO2:60%~70%、Al2O3:0.4%~4%、B2O3:1%~6%、Na2O:8%~18%、K2O:4%~15%、MgO+CaO+SrO+BaO:10%~15%、ZnO+TiO2:0~3%、ZrO2:<0.05%、Li2O:<0.05%和P2O5:<0.05%,及不可避免的杂质。
2.根据权利要求1所述的高膨胀系数玻璃,其特征在于,所述玻璃中:
3.根据权利要求1或2所述的高膨胀系数玻璃,其特征在于,所述玻璃满足:65%≤[SiO2]+[Al2O3]+[B2O3]
...【技术特征摘要】
1.一种高膨胀系数玻璃,其特征在于,所述玻璃的成分以物质的量百分比计包括:sio2:60%~70%、al2o3:0.4%~4%、b2o3:1%~6%、na2o:8%~18%、k2o:4%~15%、mgo+cao+sro+bao:10%~15%、zno+tio2:0~3%、zro2:<0.05%、li2o:<0.05%和p2o5:<0.05%,及不可避免的杂质。
2.根据权利要求1所述的高膨胀系数玻璃,其特征在于,所述玻璃中:
3.根据权利要求1或2所述的高膨胀系数玻璃,其特征在于,所述玻璃满足:65%≤[sio2]+[al2o3]+[b2o3]≤75%,其中,[sio2]为sio2在玻璃中的物质的量百分比,[al2o3]为al2o3在玻璃中的物质的量百分比,[b2o3]为b2o3在玻璃中的物质的量百分比;和/或
4.根据权利要求1或2所述的高膨胀系数玻璃,其特征在于,所述玻璃的成分还包括澄清剂,所述澄清剂在玻璃中的物质的量百分比为不大于1%;和/或
5.一种权利要求1至4中任一项所述的高膨胀系数玻璃的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
6....
【专利技术属性】
技术研发人员:董庆敏,赵永华,范红宾,陈天德,
申请(专利权)人:浙江星柯光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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