【技术实现步骤摘要】
示例实施例总体上涉及半导体集成电路，更具体地，涉及半导体存储器件的读出放大器电路和包括读出放大器电路的半导体存储器件。
技术介绍
1、半导体存储器件可以依据它们在与电源断开时是否保留存储的数据而被划分成两个类别。这些半导体存储器件落入两个类别：非易失性存储器件，其即使在与电源断开之后也保留它们存储的数据；以及易失性存储器件，其丢失它们记录的数据。易失性存储器件能够快速地读取和写入数据，但是当它们关闭时，它们包含的数据可能消失。非易失性存储器件能够用于存储需要保持的数据，因为即使在器件被断电之后，内容仍会保留。
2、半导体存储器件可以包括多个存储单元。可能有必要将位线和互补位线预充电到预充电电压，执行电荷共享操作，并且观察位线和互补位线的电压电平的变化，以便识别存储单元中包含的数据。读出放大器然后可以接收并放大位线与互补位线之间的电压差，以检测存储在存储单元中的数据。
技术实现思路
1、本公开的至少一个示例实施例提供了一种能够高效地防止缺陷并且减小尺寸的读出放大器电路。
<...【技术保护点】
1.一种读出放大器电路，所述读出放大器电路包括多个位线读出放大器，
2.根据权利要求1所述的读出放大器电路，
3.根据权利要求2所述的读出放大器电路，其中，所述第一组位线读出放大器包括被设置为彼此相邻的所述第一位线读出放大器和所述第二位线读出放大器。
4.根据权利要求3所述的读出放大器电路，其中，所述第一组位线读出放大器还包括被设置为彼此相邻的第四位线读出放大器和第五位线读出放大器，并且
5.根据权利要求2所述的读出放大器电路，所述读出放大器电路还包括：
6.根据权利要求5所述的读出放大器电路，
...
【技术特征摘要】
1.一种读出放大器电路，所述读出放大器电路包括多个位线读出放大器，
2.根据权利要求1所述的读出放大器电路，
3.根据权利要求2所述的读出放大器电路，其中，所述第一组位线读出放大器包括被设置为彼此相邻的所述第一位线读出放大器和所述第二位线读出放大器。
4.根据权利要求3所述的读出放大器电路，其中，所述第一组位线读出放大器还包括被设置为彼此相邻的第四位线读出放大器和第五位线读出放大器，并且
5.根据权利要求2所述的读出放大器电路，所述读出放大器电路还包括：
6.根据权利要求5所述的读出放大器电路，
7.根据权利要求5所述的读出放大器电路，所述读出放大器电路还包括：
8.根据权利要求7所述的读出放大器电路，所述读出放大器电路还包括：
9.根据权利要求7所述的读出放大器电路，
10.根据权利要求5所述的读出放大器电路，所述读出放大器电路还包括：
11.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：金暻旻，金东建，柳明植，朴修进，白寅硕，元福渊，尹钟文，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。