骨架含噻吩修饰苯并噁二唑衍生物、侧链烷基取代、主链乙烯基桥联的受体单元及其制备与应用制造技术

本发明专利技术涉及有机化学分子设计与有机光电材料技术领域，尤其是涉及骨架含噻吩修饰苯并噁二唑衍生物、侧链烷基取代、主链乙烯基桥联的受体单元及其制备与应用。本发明专利技术提供的骨架含噻吩修饰苯并噁二唑衍生物、侧链烷基取代、主链乙烯基桥联的受体单元为具有高主链平面性的强缺电子受体单元，进一步的，基于该受体单元通过改良共催化直接芳基化聚合工艺制备得到n型聚合物，极大推进了有机电子的商业化进程。本发明专利技术中具有独特的电子‑结构协同效应的n型聚合物作为有机半导体层，制备的有机场效应晶体管表现出创记录的电子迁移率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机化学分子设计与有机光电材料，尤其是涉及骨架含噻吩修饰苯并噁二唑衍生物、侧链烷基取代、主链乙烯基桥联的受体单元及其制备与应用。

技术介绍

1、刚性无机半导体电子器件因其机械特性限制，已难以满足电子技术对柔性化、轻质化和低功耗的多元化需求。在过去数十年中，半导体聚合物因其在柔性可拉伸、溶液可加工光电器件(如有机光伏电池、有机薄膜晶体管、有机电化学晶体管及有机热电器件)中的广阔应用前景，引发了学术界与工业界的广泛关注。这类材料不仅为柔性可穿戴电子、生物集成式传感器、智能医疗检测等前沿领域提供关键支撑，更在航空航天装备、新能源转换系统及低功耗物联网(iot)设备中展现出独特应用价值，已被多个科技强国列为战略性新兴材料重点研发方向。有机半导体材料基于载流子传输类型的差异，可分为p型(空穴主导)、n型(电子主导)和双极性(兼具两种传输特征)。p-n互补逻辑电路相较于单极性电路其动态功耗可降低两个数量级，物理布局压缩率超70％，且具备更高噪声容限与抗干扰能力。然而，p型聚合物已实现空穴迁移率(μh)突破10cm2v-1s-1，n型聚合物发展相对滞后，其本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.骨架含噻吩修饰苯并噁二唑衍生物、侧链烷基取代、主链乙烯基桥联的受体单元，其特征在于，所述受体单元选自下述结构式中的一种：

2.一种如权利要求1所述的骨架含噻吩修饰苯并噁二唑衍生物、侧链烷基取代、主链乙烯基桥联的受体单元的制备方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的骨架含噻吩修饰苯并噁二唑衍生物、侧链烷基取代、主链乙烯基桥联的受体单元的制备方法，其特征在于，步骤(A1)中，BN-Br、三丁基(噻吩-2-基)锡烷、四(三苯基膦)钯(0)和甲苯的用量比为7.3mmol：4～10mmol：0.1～0.4mmol：10～50mL；

4.根据权利要求2所述...

【技术特征摘要】

1.骨架含噻吩修饰苯并噁二唑衍生物、侧链烷基取代、主链乙烯基桥联的受体单元，其特征在于，所述受体单元选自下述结构式中的一种：

2.一种如权利要求1所述的骨架含噻吩修饰苯并噁二唑衍生物、侧链烷基取代、主链乙烯基桥联的受体单元的制备方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的骨架含噻吩修饰苯并噁二唑衍生物、侧链烷基取代、主链乙烯基桥联的受体单元的制备方法，其特征在于，步骤(a1)中，bn-br、三丁基(噻吩-2-基)锡烷、四(三苯基膦)钯(0)和甲苯的用量比为7.3mmol：4～10mmol：0.1～0.4mmol：10～50ml；

4.根据权利要求2所述的骨架含噻吩修饰苯并噁二唑衍生物、侧链烷基取代、主链乙烯基桥联的受体单元的制备方法，其特征在于，步骤(a2)中，第一化合物、(e)-1,2-双(三丁基锡基)乙烯、四(三苯基膦)钯(0)和甲苯的用量比为1.7mmol：0.4～1mmol：0.1～0.2mmol：10～80ml；

5.根据权利要求2所述的骨架含噻吩修饰苯并噁二...

【专利技术属性】
技术研发人员：王洋，柳蒂，赵智伟，刘云圻，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：