【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及钽铝合金溅射靶材,具体涉及一种钽铝合金溅射靶材的制备方法。
技术介绍
1、物理气相沉积(physical vapour deposition,pvd)指的是,在真空条件下,采用低电压、大电流的电弧放电技术,利用气体放电使材料源蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离,然后通过电场的加速作用,使被蒸发物质及其反应产物沉积在工件上形成某种特殊功能的薄膜。pvd技术半导体芯片制造业、太阳能行业、lcd制造业等多种行业的核心技术,主要方法有真空蒸镀、电弧等离子体镀、离子镀膜、分子束外延和溅射镀膜等。
2、溅射是制备薄膜材料的主要技术之一,它利用离子源产生的离子,在真空中经过加速聚集,而形成高速度能的离子束流,轰击固体表面,离子和固体表面原子发生动能交换,使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面,被轰击的固体是制备溅射法沉积薄膜的原材料,一般被称为溅射靶材。
3、溅射靶材一般通过粉末冶金烧结成型工艺获得,因为该工艺制备的溅射靶材具有独特的化学组成和机械、物理性能,而这些性能是用传统的熔铸方法无法获得的。粉末冶金烧结
...【技术保护点】
1.一种钽铝合金溅射靶材的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述钽粉的纯度≥3N5,粒径<100μm;
3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述目标质量比例为:铝粉的质量占比为10-20wt%,其余为钽粉。
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述混粉在氩气氛围下进行,气压为0.02-0.09MPa;
5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,在混合粉末的上
...【技术特征摘要】
1.一种钽铝合金溅射靶材的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述钽粉的纯度≥3n5,粒径<100μm;
3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述目标质量比例为:铝粉的质量占比为10-20wt%,其余为钽粉。
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述混粉在氩气氛围下进行,气压为0.02-0.09mpa;
5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,在混合粉末的上下各垫一块压板,用于保证所得钽铝生坯的平面度;
6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述冷等静...
【专利技术属性】
技术研发人员:边逸军,姚力军,张怡忠,吴东青,
申请(专利权)人:宁波江丰电子材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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