超低渗透型防冻凝胶硫酸铜参比电极制造技术

技术编号:45519212 阅读:11 留言:0更新日期:2025-06-13 17:22
本发明专利技术公开了一种超低渗透型防冻凝胶硫酸铜参比电极,其包括绝缘筒,绝缘筒的一端连接有绝缘筒盖,绝缘筒盖上开设有通孔,绝缘筒的另一端连接有微渗陶瓷筒的一端,微渗陶瓷筒的另一端密封设有第一绝缘层,绝缘筒盖、绝缘筒、微渗陶瓷筒和第一绝缘层共同围成参比电极内腔,内腔内设有铜棒,铜棒的一端位于通孔内且该端连接有延伸至绝缘筒盖外侧的导线,导线与铜棒的连接处位于通孔内且连接处设有第二绝缘层,第二绝缘层密封设于通孔内,铜棒外侧的参比电极内腔内填充有饱和硫酸铜凝胶。其目的是为了提供一种超低渗透型防冻凝胶硫酸铜参比电极,其具有寿命长、耐低温以及超低渗透性能,并且具有结构简单、体积小、对土壤环境污染低等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及阴极保护,特别是涉及一种长效埋设式硫酸铜参比电极。


技术介绍

1、硫酸铜参比电极常用于测定埋地金属管道的自然电位及阴极保护电位,测定土壤中的杂散电流,也可用于测定电缆金属护套及混凝土中钢筋的电位等。

2、国内现有的硫酸铜参比电极大多采用饱和硫酸铜溶液形式,流失速率大,寿命短等特点,即使现有的凝胶型硫酸铜参比电极也大多采用卡波姆、乙二醇等凝胶剂或耐低温剂,仍然存在寿命短、介质渗透存在有毒、有污染土壤等因素。


技术实现思路

1、本专利技术要解决的技术问题是提供一种超低渗透型防冻凝胶硫酸铜参比电极,其具有寿命长、耐低温以及超低渗透性能,并且具有结构简单、体积小、对土壤环境污染低等优点。

2、本专利技术超低渗透型防冻凝胶硫酸铜参比电极,包括绝缘筒,所述绝缘筒的一端密封连接有绝缘筒盖,所述绝缘筒盖上开设有通孔,所述绝缘筒的另一端密封连接有微渗陶瓷筒的一端,所述微渗陶瓷筒的另一端密封设有第一绝缘层,所述绝缘筒盖、绝缘筒、微渗陶瓷筒和第一绝缘层共同围成参比电极内腔,所述参比电极内腔内设本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种超低渗透型防冻凝胶硫酸铜参比电极,其特征在于:包括绝缘筒,所述绝缘筒的一端密封连接有绝缘筒盖,所述绝缘筒盖上开设有通孔,所述绝缘筒的另一端密封连接有微渗陶瓷筒的一端,所述微渗陶瓷筒的另一端密封设有第一绝缘层,所述绝缘筒盖、绝缘筒、微渗陶瓷筒和第一绝缘层共同围成参比电极内腔,所述参比电极内腔内设有铜棒,所述铜棒的一端位于通孔内,所述铜棒的一端连接有延伸至绝缘筒盖外侧的导线,所述导线与铜棒的连接处位于通孔内,所述导线与铜棒的连接处设有第二绝缘层,所述第二绝缘层密封设于通孔内,所述铜棒外侧的参比电极内腔内填充有饱和硫酸铜凝胶。

2.根据权利要求1所述的超低渗透型防冻凝胶硫酸...

【技术特征摘要】

1.一种超低渗透型防冻凝胶硫酸铜参比电极,其特征在于:包括绝缘筒,所述绝缘筒的一端密封连接有绝缘筒盖,所述绝缘筒盖上开设有通孔,所述绝缘筒的另一端密封连接有微渗陶瓷筒的一端,所述微渗陶瓷筒的另一端密封设有第一绝缘层,所述绝缘筒盖、绝缘筒、微渗陶瓷筒和第一绝缘层共同围成参比电极内腔,所述参比电极内腔内设有铜棒,所述铜棒的一端位于通孔内,所述铜棒的一端连接有延伸至绝缘筒盖外侧的导线,所述导线与铜棒的连接处位于通孔内,所述导线与铜棒的连接处设有第二绝缘层,所述第二绝缘层密封设于通孔内,所述铜棒外侧的参比电极内腔内填充有饱和硫酸铜凝胶。

2.根据权利要求1所述的超低渗透型防冻凝胶硫酸铜参比电极,其特征在于:所述绝缘筒盖的连接绝缘筒一侧固定设有筒状凸缘,所述筒状凸缘插设在绝缘筒一端的筒口内,所述绝缘筒盖与绝缘筒之间通过低温胶水密封粘接。

3.根据权利要求2所述的超低渗透型防冻凝胶硫酸铜参比电极,其特征在于:所述微渗陶瓷筒的一端插设在绝缘筒另一端的筒口内,所述微渗陶瓷筒和绝缘筒之间通过低温胶水密封粘接。

4.根据权利要求3所述的超低渗透型防冻凝胶硫酸铜参比电极,其特征在于:所述第一绝缘层包括相互粘接的聚氯乙烯片和环氧胶层,所述环氧胶层相对于聚氯乙烯片更靠近微渗陶瓷筒另一端的筒口布置。

5.根据权利要求4所述的超低渗透...

【专利技术属性】
技术研发人员:吝彭彭王丽叶王金光陈少松
申请(专利权)人:北京安科腐蚀技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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