一种操作化学气相沉积过程的方法技术

一种操作化学气相沉积(CVD)过程的方法，包括在反应室(1)的反应区(10)中提供基板(20)，提供至少一种前驱气体流至所述反应室(1)，所述前驱气体包含前驱分子，将所述反应室(1)加热至高于所述前驱分子的反应起始温度的温度，以及提供至少一种惰性扩散添加剂气体进入所述反应室(1)，所述惰性扩散添加剂包含惰性扩散添加剂分子，其中，所述惰性扩散添加剂分子具有比所述前驱分子更大的分子量，并且其中所述惰性扩散添加剂气体的分压大于所述前驱气体的分压。进一步公开了在具有至少一个高纵横比特征的基板(20)上的保护层(40,40’,40”)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及化学气相沉积(cvd)过程，特别涉及一种操作cvd过程的方法，以便实现改善涂层在平坦表面上的分布和/或以便涂覆或填充高纵横比(high aspect ratio)特征，例如基板中的沟槽或底孔。

技术介绍

1、化学气相沉积(cvd)过程在例如半导体产品的制造中具有许多应用。所产生的沉积层的质量对于实现适用于预期目的的良好材料特性是必要的。

2、除了在基板上提供均匀涂层的一般挑战之外，在cvd过程中存在的特别挑战是在多孔结构上和在高纵横比特征(例如沟槽和底孔)上提供涂层。

3、涂层可以以不同的方式在基板上生长，并且通过计算沉积层的阶梯覆盖率(step-coverage)，可以确定已经进行的生长方式。将沟槽或孔洞底部的沉积层厚度除以沟槽或孔洞顶部的沉积层厚度以计算阶梯覆盖率。阶梯覆盖率小于1表明发生了亚共形生长(sub-conformal growth)。理想的是沉积层的共形生长(conformal growth)，这由等于1的阶梯覆盖率所指示。

4、然而，对于一些应用，期望用沉积的材料完全填充基板中的沟槽或孔洞本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种操作化学气相沉积(CVD)过程的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述CVD过程是一种连续过程。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述CVD过程是一种热CVD过程。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述CVD过程是一种等离子体CVD过程。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述前驱气体包含金属，特别是硼。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述前驱气体是三乙基硼(B(C2H5)3)或三氯化硼(BCl3)。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述惰性扩散...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种操作化学气相沉积(cvd)过程的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述cvd过程是一种连续过程。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述cvd过程是一种热cvd过程。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述cvd过程是一种等离子体cvd过程。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述前驱气体包含金属，特别是硼。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述前驱气体是三乙基硼(b(c2h5)3)或三氯化硼(bcl3)。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述惰性扩散添加剂气体是稀有气体，优选氙气(xe)。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述惰性扩散添加剂气体在所述反应区(10)的上游与所述前驱气体合并，优选在气体歧管(13)中。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，所述方法进一步包括提供至少一种载气，

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述载气是氢气(h2)或氩气(ar)。

11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述反应室(1)被加热到的温度大于约400℃，优选约400℃至410℃，或者约420℃至430℃，或者约430℃至440℃，或者约440℃至450℃，或者约450℃至460℃，或者约460℃至470℃，或者约470℃至480...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·哈里达斯·乔拉克卡尔，H·佩徳森，J·比尔奇，
申请(专利权)人：卡纳图芬兰有限公司，
类型：发明
国别省市：