一种压控衰减器和射频芯片制造技术

本公开涉及集成电路领域，针对压控衰减器的衰减斜率误差较大的问题，提供了一种压控衰减器和射频芯片，包括信号衰减电路和第一控制电路，第一控制电路包括电流镜结构；电流镜结构具有输入支路和输出支路，输出支路复制输入支路的电流；输入支路具有第一晶体管，第一晶体管的输出端与标准地之间连接第一电阻、且第一晶体管的输出端连接外部电压接口；输出支路具有第二晶体管，第二晶体管的输出端与标准地之间连接模拟支路，模拟支路与信号衰减电路中的衰减支路的结构相同；衰减支路包括第三晶体管，第三晶体管的控制端直接或间接连接第二晶体管的输出端。该压控衰减器的衰减斜率误差减小。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及集成电路领域，尤其涉及一种压控衰减器和射频芯片。

技术介绍

1、射频衰减器是一种无源器件，主要用于降低射频信号的强度和改善阻抗匹配，广泛应用于通信系统、仪器设备及各种测试系统中。射频衰减器具体分为数字衰减器和压控衰减器（voltage-controlled attenuator，vva）。压控衰减器是基于外部输入的主控制电压改变内部晶体管的导通状态、从而连续地调节网络衰减值的模块，通常应用于射频链路或低频功率调节电路中。线性压控衰减器是压控衰减器的一种细分，利用晶体管线性区的阻抗特性，实现衰减量与主控制电压呈线性关系（即衰减量随主控制电压变化的斜率固定）的效果。

2、然而，由于温度和工艺误差的原因，目前的线性压控衰减器始终存在衰减斜率误差（即衰减量随主控制电压变化的斜率并不完全是固定的），导致整体器件的工作性能受到影响。

技术实现思路

1、针对压控衰减器的衰减斜率波动较大的问题，本公开提供了一种压控衰减器和射频芯片。

2、本公开的技术方案是这样实现的：p>

3、第一方本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种压控衰减器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的压控衰减器，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的压控衰减器，其特征在于，

4.根据权利要求1-3任一项所述的压控衰减器，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的压控衰减器，其特征在于，

6.根据权利要求1-3任一项所述的压控衰减器，其特征在于，

7.根据权利要求2所述的压控衰减器，其特征在于，所述钳位电路包括第一运算放大器，所述第一运算放大器的第一输入端与所述外部电压接口连接，所述第一运算放大器的第二输入端与所述第一晶体管的输出端连接；

8....

【技术特征摘要】

1.一种压控衰减器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的压控衰减器，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的压控衰减器，其特征在于，

4.根据权利要求1-3任一项所述的压控衰减器，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的压控衰减器，其特征在于，

6.根据权利要求1-3任一项所述的压控衰减器，其特征在于，

7.根据权利要求2所述的压控衰减器，其特征在于，所述钳位电路包括第一运算放大器，所述第一运算放大器的第一输入端与所述外部电压接口连接，所述第一运算放大器的第二输入端与所述第一晶体管的输出端连接；

8.根据权利要求7所述的压控衰减器，其特征在于，所述第一晶体管的输入端接收电源电压，所述第二晶体管的输入端接收电源电...

【专利技术属性】
技术研发人员：王天阳，王曾祺，
申请(专利权)人：上海安其威微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：