【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于二维材料制备，具体涉及一种基于共溅射技术的二维过渡金属硫族化合物(transition metal dichalcogenides,tmds)的合成方法，适用于半导体器件、光电器件及能源存储等领域。
技术介绍
1、二维(2d)过渡金属硫族化物(tmd)，如wse2、ws2、mose2、mose2、ptse2和pdse2，自2004年石墨烯剥离以来，在全球范围内引起了广泛的研究兴趣。这些2d tmd具有各种极具吸引力的光学和光电特性，包括可调带隙、高表面质量、优异的机械柔韧性和出色的载流子迁移率。值得注意的是，2d tmd的各层通过范德华力结合。这些弱的范德华相互作用，加上表面悬浮键的缺失，有利于异质结的构建。结构相似的tmd有多种类型，其基本化学式为mx2，其中m为过渡金属原子，x为硫族原子。tmdc的带隙可以通过改变层数或材料的厚度来调节，这使其在光电器件领域得到广泛研究和应用。
2、目前已开发出多种技术来制备tmds，包括化学气相沉积、分子束外延、湿化学法、拓扑转化法等。然而化学气相沉积(cvd)需高温(&...
【技术保护点】
1.一种基于共溅射技术二维过渡金属硫族化物的合成方法，其包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述靶材选自与：Te、Se、Pd、Pt、Bi、Mo、W中的一种或者多种，所述靶材溅射功率为5-15W。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述靶材溅射压强为1Pa，溅射时间为10s至300s，溅射温度为200℃至500℃。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所诉衬底包括Si、SiO2、Al2O3、NaCl、云母片等。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所诉二维过渡金属硫族化物包括：PdTe2、...
【技术特征摘要】
1.一种基于共溅射技术二维过渡金属硫族化物的合成方法，其包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述靶材选自与：te、se、pd、pt、bi、mo、w中的一种或者多种，所述靶材溅射功率为5-15w。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述靶材溅射压强为1pa，溅射时间为10s至300s，溅射温度为200℃至500℃。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所诉衬底包括si、sio2、al2o3、nacl、云母片等。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：郝兰众，张明聪，张博，胡兵，刘云杰，
申请(专利权)人：中国石油大学华东，
类型：发明
国别省市：
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