含硅膜前体、含硅膜形成用的组合物、含硫硅氧烷的制造方法以及含硅膜的制造方法技术

提供一种硅氧烷化合物，其通过式(1)所示的含硫硅氧烷，能用作含硅膜前体，该含硅膜前体在含硅膜的形成中，即使在高温条件下也能进行利用原子层沉积(ALD)法的成膜的。[式(1)中，R<supgt;1</supgt;～R<supgt;8</supgt;在各自出现时独立地为氢原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基、碳原子数2～5的炔基或碳原子数1～5的烷氧基，R<supgt;1</supgt;～R<supgt;8</supgt;任选地各自相互键合而形成环，X<supgt;1</supgt;～X<supgt;3</supgt;在各自出现时独立地为氧原子或硫原子，n为0～2的整数。]

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开的涉及一种含硫硅氧烷和使用所述化合物的含硅膜的制造方法等。

技术介绍

1、在半导体器件的制作中，含硅薄膜通过各种蒸镀工序制造为硅膜、氧化硅膜、氮化硅膜、碳氮化硅膜以及氮氧化硅膜等各种形态的薄膜，在各种领域中应用。其中，氧化硅膜和氮化硅膜具有非常优异的隔绝特性和耐氧化性，因此在装置的制作中作为绝缘膜、金属间介电物质、晶种层、间隔物、硬掩模、沟道隔离(trench isolation)、防扩散膜、蚀刻停止层以及保护膜层而发挥功能。

2、近年来随着元件的细微化、纵横比的增加以及元件材料的多样化，要求利用能形成均匀的膜的原子层沉积(ald)法成膜的技术。此外，近年来需要杂质少且电特性优异的高品质的膜。作为用于形成高品质的膜的解决方案之一，在500℃以上的高温下成膜的方法受到关注。然而，在以往的成膜材料中，大多在高温下分解，难以进行利用原子层沉积(ald)法的成膜。若发生分解，则难以进行成膜的自我控制，因此难以形成均匀的膜，有可能无法实现伴随着细微化等的高纵横比的成膜。因此，谋求即使在高温条件下也不分解，能利用ald法成膜的材料。

3、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种含硅膜前体，其中，包含式(1)所示的含硫硅氧烷，

2.根据权利要求1所述的含硅膜前体，其中，

3.根据权利要求1或2所述的含硅膜前体，其中，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的含硅膜前体，其中，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的含硅膜前体，其中，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的含硅膜前体，其中，

7.根据权利要求1～6中任一项所述的含硅膜前体，其中，

8.一种含硅膜形成用的组合物，其中，包含式(1)所示的含硫硅氧烷，

9.一种含硫硅氧烷的制造方法，其中，含硫硅氧烷由式(1)...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种含硅膜前体，其中，包含式(1)所示的含硫硅氧烷，

2.根据权利要求1所述的含硅膜前体，其中，

3.根据权利要求1或2所述的含硅膜前体，其中，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的含硅膜前体，其中，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的含硅膜前体，其中，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的含硅膜前体，其中，

7.根据权利要求1～...

【专利技术属性】
技术研发人员：平元辉，上野惠英，
申请(专利权)人：住友精化株式会社，
类型：发明
国别省市：