宽频带低噪声双核双模数控振荡器制造技术

本发明专利技术涉及宽频带低噪声双核双模数控振荡器，包括：8字形电感线圈、奇偶模式切换开关、第一数控振荡单元和第二数控振荡单元；第一数控振荡单元和第二数控振荡单元分别连接在8字形电感线圈的两端，构成双核结构；奇偶模式切换开关通过改变8字形电感线圈的奇偶模式，调整8字形电感线圈的电感，以改变数控振荡器产生的谐振信号的频率范围；第一数控振荡单元或第二数控振荡单元，响应于不同的数字控制信号，利用调频精度不同的多个调控模块，调整第一数控振荡单元或第二数控振荡单元中的电容，进而改变数控振荡器产生的谐振信号的频率范围。该装置具有结构简单、占用面积小、调谐范围大且调谐精度高的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于射频集成电路领域，具体涉及宽频带低噪声双核双模数控振荡器。

技术介绍

1、随着模拟工艺的进步，相比传统电荷泵锁相环，数字锁相环实现了更高的集成度以及可编程性。在数字锁相环设计中，数控振荡器(dco)是时钟产生技术的核心电路，其性能直接制约着时钟输出的频率精度。

2、随着cmos工艺进入深亚微米阶段，对于数控振荡器的设计要求也向着单片集成的方向不断发展，在深亚微米下，传统数控振荡器的变容管的线性调频范围明显下降，加剧了振荡器调频的非线性；由于电压裕度的降低，对于振荡器的调谐范围有了更大的限制；最后，在集成度更高的全数控系统中，数字信号无法直接控制数控振荡器的输出频率。因此，亟需提供一种调频范围大、调频线性高且占用面积小的数控振荡器，以满足不同通信标准的要求。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了宽频带低噪声双核双模数控振荡器。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

2、本专利技术提供了宽频带低噪声双核双模数控振荡器，包括：8字形电感本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种宽频带低噪声双核双模数控振荡器，其特征在于，包括：8字形电感线圈、奇偶模式切换开关、第一数控振荡单元和第二数控振荡单元；所述第一数控振荡单元和所述第二数控振荡单元分别连接在所述8字形电感线圈的两端，构成双核结构；

2.根据权利要求1所述的宽频带低噪声双核双模数控振荡器，其特征在于，所述8字形电感线圈包括：电感L1、电感L2、电感L3、电感L4和电感L5；

3.根据权利要求1所述的宽频带低噪声双核双模数控振荡器，其特征在于，数字控制信号包括：第一数字控制信号和第二数字控制信号；所述第一数控振荡单元包括：并联连接的调控模块D1、调控模块D2、调控模块D3，以及...

【技术特征摘要】

1.一种宽频带低噪声双核双模数控振荡器，其特征在于，包括：8字形电感线圈、奇偶模式切换开关、第一数控振荡单元和第二数控振荡单元；所述第一数控振荡单元和所述第二数控振荡单元分别连接在所述8字形电感线圈的两端，构成双核结构；

2.根据权利要求1所述的宽频带低噪声双核双模数控振荡器，其特征在于，所述8字形电感线圈包括：电感l1、电感l2、电感l3、电感l4和电感l5；

3.根据权利要求1所述的宽频带低噪声双核双模数控振荡器，其特征在于，数字控制信号包括：第一数字控制信号和第二数字控制信号；所述第一数控振荡单元包括：并联连接的调控模块d1、调控模块d2、调控模块d3，以及第一负阻电路；

4.根据权利要求3所述的宽频带低噪声双核双模数控振荡器，其特征在于，所述第一负阻电路包括：晶体管mn1、晶体管mn2、电感l6和电容c1；

5.根据权利要求3所述的宽频带低噪声双核双模数控振荡器，其特征在于，第一数字控制信号包括相位相反的第一信号和第二信号；所述调控模块d1包括：晶体管mn5、晶体管mn6、晶体管mn7、晶体管mn8、晶体管mn9、mom电容cc1和mom电容cc2；

6.根据权利要求3所述的宽...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙德鹏，沈奕翰，王春雷，丁瑞雪，刘术彬，朱樟明，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：