【技术实现步骤摘要】
本技术涉及功率半导体器件，具体而言，涉及一种门极引出件及具有其的功率半导体器件。
技术介绍
1、集成门极换流晶闸管是一种高性能的功率半导体器件，它结合了晶闸管和门极驱动技术，能够实现快速、可靠的电流关断，而不需要外部换流电路。集成门极换流晶闸管主要用于中高压和大电流的工业应用，如电机驱动、电力传输和可再生能源系统的逆变器等。
2、在现有技术中，集成门极换流晶闸管的芯片的门极通过门极引出结构引出，门极引出结构包括门极引出法兰和设置在所述门极引出法兰上的门极辐条。当芯片的门极与门极引出法兰之间的距离较大时，为了使得门极引出法兰与芯片的门极连接，需要将门极辐条朝向靠近芯片的门极的方向拉伸，而这样的设置，会导致门阴极寄生电感增加，影响器件的关断能力。
技术实现思路
1、本技术的主要目的在于提供一种门极引出件及具有其的功率半导体器件，以解决相关技术中的器件寄生电感大的问题。
2、为了实现上述目的，根据本技术的一个方面，提供了一种门极引出件，包括：底部引出结构，底部引出结构的中...
【技术保护点】
1.一种门极引出件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的门极引出件，其特征在于，所述套筒（21）上设置有至少一个缺口（211），所述缺口（211）沿所述套筒（21）的轴线方向延伸并贯穿所述套筒（21）。
3.根据权利要求1所述的门极引出件，其特征在于，多个所述连接板（22）设置在所述套筒（21）远离所述底部引出结构（10）的一端，每个所述连接板（22）均朝向所述套筒（21）的内部延伸。
4.根据权利要求1所述的门极引出件，其特征在于，多个所述连接板（22）在所述避让孔（11）的周向方向上均匀布置。
5.根据权利要...
【技术特征摘要】
1.一种门极引出件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的门极引出件，其特征在于，所述套筒（21）上设置有至少一个缺口（211），所述缺口（211）沿所述套筒（21）的轴线方向延伸并贯穿所述套筒（21）。
3.根据权利要求1所述的门极引出件，其特征在于，多个所述连接板（22）设置在所述套筒（21）远离所述底部引出结构（10）的一端，每个所述连接板（22）均朝向所述套筒（21）的内部延伸。
4.根据权利要求1所述的门极引出件，其特征在于，多个所述连接板（22）在所述避让孔（11）的周向方向上均匀布置。
5.根据权利要求1所述的门极引出件，其特征在于，所述底部引出结构（10）的厚度、所述套筒（21）的壁厚以及所述连接板（22）的厚度相同。
6.根据权利要求1所述的门极引出件，其特征在于，所述套筒（21）的壁厚在0.3mm至1.5mm之间。
7.根据权利要求1所述的门极引出件，其特征在于，所述套筒（21）的两端的距离在3mm至25mm之间。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的门极引出件，其特征在于，所述门极引出件为一体成型结构。
9.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件还包括门极绝缘件（130），所述门极绝缘件（...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏晓光，于克凡，唐新灵，林仲康，王耀华，代安琪，王靖飞，高佳敏，
申请(专利权)人：北京怀柔实验室，
类型：新型
国别省市：
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