【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种光电转换器件、装置及其制造方法。
技术介绍
1、光子探测效率(photon detection efficiency，pde)是衡量单光子雪崩二极管探测能力的关键性因素。目前，为了提高光子探测效率，通常使用具有高电阻的外延层作为吸光区域，高电阻的外延层比低电阻的外延层具有更高的光电转换效率。但是，生产过程中的加工偏差容易使得高电阻外延层中形成过大的耗尽区，可能对器件的性能造成不良影响。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请实施例致力于提供一种光电转换器件、装置及其制造方法，以解决现有技术中的问题。
2、第一方面，提供了一种光电转换器件，包括：半导体基材；p型掺杂区和/或n型掺杂区，设置于所述半导体基材内，所述p型掺杂区和所述n型掺杂区或者所述半导体基材分别和p型掺杂区或n型掺杂区构成的pn结形成对应的耗尽区；耗尽区调节结构，设置于所述半导体基材内，用于限制所述耗尽区的扩大，所述半导体基材包括绝缘体上的硅衬底及在所述绝缘体上的硅衬底上生长出的外延层，所...
【技术保护点】
1.一种光电转换器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的光电转换器件，其特征在于，所述高掺杂区为掺杂浓度具有预设梯度变化的浓度梯度掺杂区域。
3.根据权利要求2所述的光电转换器件，其特征在于，所述半导体基材的上表面设置有介质层，所述介质层带有固定电荷，所述耗尽区调节结构还包括带有固定电荷的所述介质层。
4.根据权利要求3所述的光电转换器件，其特征在于，若所述半导体基材为P型半导体，则所述固定电荷为负电荷；若所述半导体基材为N型半导体，则所述固定电荷为正电荷。
5.根据权利要求1所述的光电转换器件，其特征在于，所...
【技术特征摘要】
1.一种光电转换器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的光电转换器件，其特征在于，所述高掺杂区为掺杂浓度具有预设梯度变化的浓度梯度掺杂区域。
3.根据权利要求2所述的光电转换器件，其特征在于，所述半导体基材的上表面设置有介质层，所述介质层带有固定电荷，所述耗尽区调节结构还包括带有固定电荷的所述介质层。
4.根据权利要求3所述的光电转换器件，其特征在于，若所述半导体基材为p型半导体，则所述固定电荷为负电荷；若所述半导体基材为n型半导体，则所述固定电荷为正电荷。
5.根据权利要求1所述的光电转换器件，其特征在于，所述半导体基材的电阻率大于第一阈值，所述第一阈值为50ω·cm...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘德胜，吕晨晋，李佳鹏，莫良华，
申请(专利权)人：深圳阜时科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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