一种新型AlGaN/GaN HEMT外延结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种新型AlGaN/GaN HEMT外延结构及其制备方法，包括衬底层，所述衬底层的上方设有用于调整和平衡外延层中的应力、防止应力集中的应力结构调试层；所述应力结构调试层的上方设有用于控制和减少外延层中的缺陷、提高外延层的质量的缺陷控制层；所述缺陷控制层的上方设有用于补偿外延层中的杂质、改善器件的电性能的杂质补偿层；通过在AlGaN/GaN HEMT外延层引入应力调试、缺陷控制、杂质补偿、等结构技术有效解决了传统结构应力过大裂纹，电流崩塌，纵向击穿等问题，提高了器件的性能和稳定性。此外，通过优化生长条件，可以实现高电子迁移率和低漏电电流的优化，进一步提高了器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，具体为一种新型algan/gan hemt外延结构及其制备方法。

技术介绍

1、algan/gan高电子迁移率晶体管（hemt）因其出色的电子迁移率和击穿电压而成为高频、高功率电子器件的优选材料。

2、然而，在传统的algan/gan hemt外延结构中，应力、缺陷、杂质的问题可能会影响器件的性能和稳定性。为了解决这些问题，需要开发新型外延结构以提高器件的性能和稳定性。

3、为此，提出一种新型algan/gan hemt外延结构及其制备方法。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种新型algan/gan hemt外延结构及其制备方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。

2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种新型algan/gan hemt外延结构，包括衬底层，所述衬底层的上方设有用于调整和平衡外延层中的应力，防止应力集中的应力结构调试层；

3、所述应力结构调试层的上方设有用于控制和减少外延层中的缺陷，提高外延层的质量本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种新型AlGaN/GaN HEMT外延结构，包括衬底层（1），其特征在于：所述衬底层（1）的上方设有用于调整和平衡外延层中的应力，防止应力集中的应力结构调试层（2）；

2.根据权利要求1所述的一种新型AlGaN/GaN HEMT外延结构，其特征在于：所述应力结构调试层（2）包括第一应力调试子层（21）与第二应力调试子层（22）；

3.根据权利要求2所述的一种新型AlGaN/GaN HEMT外延结构，其特征在于：所述第一应力调试子层（21）的层数为2～5，单层厚度为20～100nm，总厚度为40～500nm。

4.根据权利要求2所述的一种新型AlG...

【技术特征摘要】

1.一种新型algan/gan hemt外延结构，包括衬底层（1），其特征在于：所述衬底层（1）的上方设有用于调整和平衡外延层中的应力，防止应力集中的应力结构调试层（2）；

2.根据权利要求1所述的一种新型algan/gan hemt外延结构，其特征在于：所述应力结构调试层（2）包括第一应力调试子层（21）与第二应力调试子层（22）；

3.根据权利要求2所述的一种新型algan/gan hemt外延结构，其特征在于：所述第一应力调试子层（21）的层数为2～5，单层厚度为20～100nm，总厚度为40～500nm。

4.根据权利要求2所述的一种新型algan/gan hemt外延结构，其特征在于：所述第二应力调试子层（22）的层数为2～5，x取值在50%～90%之间，单层厚度为10～100nm，总厚度为20～500nm。

5.根据权利要求1所述的一种新型algan/gan hemt外延结构，其特征在于：所述缺陷控制层（3）的结构为alxga1-xn/alyga1-yn超晶格结构，其中x＞y，50%≤...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄兆斌，
申请(专利权)人：江苏镓宏半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：