一种SiC吸-透叠层吸波涂层的制备方法技术

一种SiC吸‑透叠层吸波涂层的制备方法，它属于电磁波吸收材料技术领域。本发明专利技术要解决现有吸波材料无法同时满足阻抗匹配和快速吸收，且无法满足低频宽带吸收的问题。方法：一、将钴氧化物、硅粉、二氧化硅粉及碳粉混合；二、煅烧及高温除碳；三、制备涂料Ⅰ；四、制备涂料Ⅱ，五、涂覆。本发明专利技术用于SiC吸‑透叠层吸波涂层的制备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电磁波吸收材料。

技术介绍

1、吸波涂层是一种广泛应用于电磁波吸收和隐身技术的关键材料，尤其在军事、航空航天、通信和电子设备等领域具有重要的应用价值。随着现代雷达探测技术和电子对抗技术的快速发展，如何有效降低目标物体的雷达散射截面(rcs)并减少电磁波反射，成为隐身技术研究的核心问题之一。吸波涂层通过将入射电磁波转化为热能或其他形式的能量，从而实现电磁波的吸收和衰减，达到隐身或电磁兼容的目的。吸波材料需要具备两个条件：即使电磁波进入材料内部而不在其表面被反射，具有材料阻抗匹配特性；另一个条件则是材料可以迅速吸收衰减进入的电磁波。而对于单一涂层或单一组元，常常无法同时满足阻抗匹配和快速吸收两个要求，且无法满足低频宽带吸收的目的。

技术实现思路

1、本专利技术要解决现有吸波材料无法同时满足阻抗匹配和快速吸收，且无法满足低频宽带吸收的问题，进而提供一种sic吸-透叠层吸波涂层的制备方法。

2、一种sic吸-透叠层吸波涂层的制备方法，它是按以下步骤进行的：

3、一、将钴氧化物、硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种SiC吸-透叠层吸波涂层的制备方法，其特征在于它是按以下步骤进行的：

2.根据权利要求1所述的一种SiC吸-透叠层吸波涂层的制备方法，其特征在于步骤一中所述的钴氧化物与硅粉的摩尔比为(0.2～1):1；步骤一中所述的硅粉与二氧化硅粉的摩尔比为1:(1～2)；步骤一中所述的硅粉与碳粉的摩尔比为1:(2～4)。

3.根据权利要求1所述的一种SiC吸-透叠层吸波涂层的制备方法，其特征在于步骤一中所述的钴氧化物为氧化钴或四氧化三钴。

4.根据权利要求1所述的一种SiC吸-透叠层吸波涂层的制备方法，其特征在于步骤二中在惰性气氛下，先在80min～120m...

【技术特征摘要】

1.一种sic吸-透叠层吸波涂层的制备方法，其特征在于它是按以下步骤进行的：

2.根据权利要求1所述的一种sic吸-透叠层吸波涂层的制备方法，其特征在于步骤一中所述的钴氧化物与硅粉的摩尔比为(0.2～1):1；步骤一中所述的硅粉与二氧化硅粉的摩尔比为1:(1～2)；步骤一中所述的硅粉与碳粉的摩尔比为1:(2～4)。

3.根据权利要求1所述的一种sic吸-透叠层吸波涂层的制备方法，其特征在于步骤一中所述的钴氧化物为氧化钴或四氧化三钴。

4.根据权利要求1所述的一种sic吸-透叠层吸波涂层的制备方法，其特征在于步骤二中在惰性气氛下，先在80min～120min内升温至400℃～600℃，再在20min～40min内升温至700℃～800℃，然后在30min～50min内升温至900℃～1100℃；步骤二中在惰性气氛下，在200min～400min内升温至1300℃～1600℃。

5.根据权利要求1所述的一种sic吸-透叠层吸波涂层的制备方法，其特征在于步骤二中冷却具体是在惰性气氛下，在200min～400min内降温至900℃～1100℃，再在30min～50min内降温至700℃～800℃，然后在20min～40min内降温至400℃～600℃，最后在80min～120min内降温至室温。

6.根据权利要求1所述的一种sic吸-透叠层吸波涂层的制备方法，其特征在于步骤二中所述的高温除碳具体是按以下步骤进行：在空气气氛下，先在30min～60min内升温至450℃～550℃，再在30min～60min内升...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志江，黄愉惠，乐士儒，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：