一种防漏电开关电路制造技术

本技术涉及一种防漏电开关电路，它包括P型MOS管PM0、PM1、PM3、PM4、PM5、PM6和PM7，N型MOS管NM0、NM1和NM2，以及缓冲器1、缓冲器2和缓冲器3；PM0、PM1、PM2、PM3和PM4连接到同一浮空的N阱1，PM5、PM6和PM7连接到同一浮空的N阱2；NM0连接PM6和PM7，NM1连接PM0，NM2连接PM2和PM4；缓冲器1的输入端连接输入开关信号SW，输出端连接PM5和NM1；缓冲器2的输入端连接VDD，输出端连接PM7；缓冲器3的输入端连接VDD，输出端连接PM4。本技术防止了芯片掉电后，前级芯片给I/O口提供电压导致漏电的问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及漏电防护领域，尤其涉及一种防漏电开关电路。

技术介绍

1、现有防漏电电路的mcu芯片掉电后，其前级芯片仍存在为其管脚或io口提供电压的场景，该场景下，io口若使用了p型mos管作为该io口输入的情况，如图1所示，p型mos管的输入到该mos管的n型阱之间存在pn结，pn结存在正向导通的情况，会导致漏电严重。

2、如图2所示，现有技术通过使用n型mos管，利用nmos管寄生pn结反向不导通的原理，规避使用p型mos管漏电的问题；但是，该技术方案在输入信号接近vdd时，开关阻抗快速变大，严重限制了输入信号的上限，无法支持轨到轨的输入信号，而且为了传递轨到轨的输入信号，额外需要更高的栅极电压。

技术实现思路

1、本技术的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种防漏电开关电路，解决了现有技术存在的不足。

2、本技术的目的通过以下技术方案来实现：一种防漏电开关电路，它包括p型mos管pm0、pm1、pm3、pm4、pm5、pm6和pm7，n型mos管nm0、nm1和nm2，以及缓冲器1、缓本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种防漏电开关电路，其特征在于：它包括P型MOS管PM0、PM1、PM3、PM4、PM5、PM6和PM7，N型MOS管NM0、NM1和NM2，以及缓冲器1、缓冲器2和缓冲器3；

2.根据权利要求1所述的一种防漏电开关电路，其特征在于：所述PM0的栅极、PM1的源极、PM2的源极、PM3的源极和PM4的源极连接同一浮空的N阱1；所述PM5、PM6和PM7的源极连接同一浮空的N阱2；PM0的栅极还连接PM1的漏极和PM5的漏极。

3.根据权利要求1所述的一种防漏电开关电路，其特征在于：所述NM0的栅极连接VDD，源极接地，漏极连接PM7的栅极和PM6的漏极；所述N...

【技术特征摘要】

1.一种防漏电开关电路，其特征在于：它包括p型mos管pm0、pm1、pm3、pm4、pm5、pm6和pm7，n型mos管nm0、nm1和nm2，以及缓冲器1、缓冲器2和缓冲器3；

2.根据权利要求1所述的一种防漏电开关电路，其特征在于：所述pm0的栅极、pm1的源极、pm2的源极、pm3的源极和pm4的源极连接同一浮空的n阱1；所述pm5、pm6和pm7的源极连接同一浮空的n阱2；pm0的栅极还连接pm1的漏极和pm5的漏极。

3.根据权利要求1所述的一种防漏电开关电路，其特征在于：所述nm0的栅极连接vdd，源极接地，漏极连接pm7的栅极和pm6的漏极；所...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中一，卢华，
申请(专利权)人：成都翌创微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：