【技术实现步骤摘要】
本申请属于生物工程,具体涉及一种促进干细胞样记忆性t细胞表达的方法及其应用。
技术介绍
1、t细胞经抗原激活后会产生效应t细胞和记忆t细胞,前者具有杀伤靶细胞的能力但存活周期短,后者存活周期长,可长期维持免疫能力。具体地,记忆t细胞可分为tscm、tcm和tem,其中tscm具有较强的自我增殖和分化成其他类型记忆t细胞的能力;而tcm和tem转化成tscm的能力很弱,因此tscm被认为t细胞中的“干细胞”。目前根据研究表明,记忆t细胞(例如tscm)比例较高的t细胞产品输入个体后,外源t细胞留存时间更长,疗效也会更好;但在t细胞产品生产过程中,由于患者个体差异,最终产品中的记忆t细胞比例是难以预测的。目前,传统技术通常通过il-7、il-15或代谢重编程可以提高记忆t细胞比例,且该方法已广泛应用在t细胞的体外生产上。
2、除上述方法以外,表观遗传的改变是t细胞激活过程中的重要生物学变化,表观遗传的改变确实是t细胞激活过程中的重要生物学变化,这些改变涉及dna甲基化、组蛋白修饰等,它们在t细胞的发育、分化、激活以及免疫记忆形成
...【技术保护点】
1.一种促进干细胞样记忆性T细胞表达的方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的促进干细胞样记忆性T细胞表达的方法,其特征在于,将所述无相分离转录因子导入目标细胞,使CCR7+CD45RA+T细胞群体比例增加。
3.根据权利要求1所述的促进干细胞样记忆性T细胞表达的方法,其特征在于,所述转录因子的相分离功能的相关区域包括IDR区。
4.根据权利要求3所述的促进干细胞样记忆性T细胞表达的方法,其特征在于,所述突变处理包括对将所述IDR区的极性带电氨基酸或酸性氨基酸进行突变;
5.根据权利要求4所述的促进干细胞样记忆
...【技术特征摘要】
1.一种促进干细胞样记忆性t细胞表达的方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的促进干细胞样记忆性t细胞表达的方法,其特征在于,将所述无相分离转录因子导入目标细胞,使ccr7+cd45ra+t细胞群体比例增加。
3.根据权利要求1所述的促进干细胞样记忆性t细胞表达的方法,其特征在于,所述转录因子的相分离功能的相关区域包括idr区。
4.根据权利要求3所述的促进干细胞样记忆性t细胞表达的方法,其特征在于,所述突变处理包括对将所述idr区的极性带电氨基酸或酸性氨基酸进行突变;
5.根据权利要求4所述的促进干细胞样记忆性t细胞表达的方法,其特征在于,包括对seq id no.1所示的氨基酸序列的1~140位和/或288~360位进行突变,
6.根据权利要求5所述的促进干细胞样记忆性t细胞表达的方法,其特征在于,包括:
7.根据权利要求1~6中任一项所述的促进干细胞样记忆性t细胞表达的方法,其特征在于,所述无相分离转录因子的氨基酸序列如seq id no.2所示,或者与seq id no.2相比至少含有85%、90%或95%以上同一性的序列。
8.根据权利要求7所述的促进干细胞样记忆性t细胞表达的方法,其特征在于,所述无相分离转录因子导入细胞前还包括将无相分离转录因子制备成包含所述无相分离转录因子的元件的步骤。
9.根据权利要求8所述的促进干细胞样记忆性t细胞表达的方...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄晓中,朱德途,周向军,
申请(专利权)人:深圳菁童生命科学有限公司,
类型:发明
国别省市:
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