双通道金铜掺杂石墨烯电化学免疫传感器及其制备方法和应用技术

技术编号:45179614 阅读:29 留言:0更新日期:2025-05-09 12:51
本发明专利技术公开了一种双通道金铜掺杂石墨烯电化学免疫传感器及其制备方法和应用,所述双通道金铜掺杂石墨烯电化学免疫传感器包括金/金铜共掺杂垂直石墨烯电极以及在该金/金铜共掺杂垂直石墨烯电极上孵育的牛血清白蛋白和抗体,金/金铜共掺杂垂直石墨烯电极包括:金铜共掺杂垂直石墨烯电极和负载在金铜共掺杂垂直石墨烯电极表面的金纳米颗粒,所述金铜共掺杂垂直石墨烯电极包括:基底和生长在基底表面的金铜共掺杂垂直石墨烯纳米片。本发明专利技术制备了可灵敏检测肿瘤细胞分泌癌胚抗原浓度的传感器,搭建免疫反应检测系统,为肿瘤早期诊断提供了一个可靠的工业化信号放大平台,并为肿瘤细胞学研究开辟了新策略。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电化学传感器,具体来说涉及一种双通道金铜掺杂石墨烯电化学免疫传感器及其制备方法和应用


技术介绍

1、癌症是第二大威胁生命的疾病,患者的存活率很低。肿瘤标志物已成为恶性肿瘤辅助诊断、疗效评价、复发监测的常规临床检查项目。因此,在人体组织和体液中快速检测癌胚抗原(cea)对于癌症的早期诊断、疗效评价和预后跟踪具有重要意义。目前,诊断成像方法是用于识别肿瘤患者的最常见手段。除此之外,常见的肿瘤标志物检测方式包括酶联免疫吸附测定(elisa)、化学发光免疫分析、双模光热/化学发光、表面增强拉曼光谱、放射免疫学和电化学免疫分析等方式。电化学免疫分析可以采用电化学免疫传感器,电化学免疫传感器是一类基于抗原和抗体特异性反应的新型生物传感器,因其灵敏度高、成本低、响应快速等特点,在肿瘤临床诊断领域备受关注。然而,传统的电化学免疫传感器存在局限性,组成复杂,难以实现工业化量产,导致电化学免疫传感器的稳定性较低。


技术实现思路

1、针对现有技术的不足,本专利技术的目的在于提供一种金铜共掺杂垂直石墨烯电极的制备方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种金/金铜共掺杂垂直石墨烯电极,其特征在于,包括:金铜共掺杂垂直石墨烯电极和负载在金铜共掺杂垂直石墨烯电极表面的金纳米颗粒,所述金铜共掺杂垂直石墨烯电极包括:基底和生长在基底表面的金铜共掺杂垂直石墨烯纳米片。

2.根据权利要求1所述的金/金铜共掺杂垂直石墨烯电极,其特征在于,所述基底的材质为钛或钽。

3.一种金/金铜共掺杂垂直石墨烯电极的制备方法,其特征在于,包括:将金铜共掺杂垂直石墨烯电极作为三电极体系中的工作电极,将三电极体系浸入四氯金酸水溶液中,采用多电位阶跃电化学沉积法将四氯金酸中Au3+电化学还原为金纳米颗粒并负载在金铜共掺杂垂直石墨烯电极表面,得...

【技术特征摘要】

1.一种金/金铜共掺杂垂直石墨烯电极,其特征在于,包括:金铜共掺杂垂直石墨烯电极和负载在金铜共掺杂垂直石墨烯电极表面的金纳米颗粒,所述金铜共掺杂垂直石墨烯电极包括:基底和生长在基底表面的金铜共掺杂垂直石墨烯纳米片。

2.根据权利要求1所述的金/金铜共掺杂垂直石墨烯电极,其特征在于,所述基底的材质为钛或钽。

3.一种金/金铜共掺杂垂直石墨烯电极的制备方法,其特征在于,包括:将金铜共掺杂垂直石墨烯电极作为三电极体系中的工作电极,将三电极体系浸入四氯金酸水溶液中,采用多电位阶跃电化学沉积法将四氯金酸中au3+电化学还原为金纳米颗粒并负载在金铜共掺杂垂直石墨烯电极表面,得到金/金铜共掺杂垂直石墨烯电极,所述金铜共掺杂垂直石墨烯电极包括:基底和生长在基底表面的金铜共掺杂垂直石墨烯纳米片。

4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,四氯金酸水溶液中四氯金酸的浓度为0.8~1.2mm;多电位阶跃电化学沉积法电沉积循环5~100...

【专利技术属性】
技术研发人员:李红姬姚婷婷李蔚李明吉轩秀巍
申请(专利权)人:天津理工大学
类型:发明
国别省市:

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