显示面板及其制备方法以及显示设备技术

技术编号:45156768 阅读:21 留言:0更新日期:2025-05-06 18:12
本申请实施例公开了一种显示面板及其制备方法以及显示设备,其中,层间介质层覆盖第一有源部和第一栅极远离基板的一侧,层间介质层开设有第一接触孔和第二接触孔,第一接触孔的深度小于第二接触孔的深度,第一接触孔暴露第一有源部,第二接触孔暴露遮光部;第一接触孔包括第一上孔和第一下孔;第二接触孔包括第二上孔和第二下孔,第二上孔的深度等于第一上孔的深度,第二下孔的深度大于第一下孔的深度。本申请实施例采用同一道光罩对层间介质层进行刻蚀形成暴露第一有源部的第一接触孔和暴露遮光部的第二接触孔,以节省光罩,且第一接触孔的第一下孔贯穿第一有源部的部分,以降低第一有源部被刻蚀的程度。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及显示,具体涉及一种显示面板及其制备方法以及显示设备


技术介绍

1、在常规的顶栅薄膜晶体管架构的驱动背板中,通常需要设置浅孔和深孔以实现连接,深孔需要贯穿缓冲层,而浅孔不需要贯穿缓冲层,比如浅孔暴露有源层,深孔暴露遮光层。而为了避免浅孔处的有源层过刻太严重,在本领域技术中会采用两道光罩分别来形成浅孔和深孔,但是采用两道光罩会导致制备成本增加。


技术实现思路

1、本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法以及显示设备,可以在节省形成浅孔和深孔的光罩的同时,降低有源层被严重过刻的风险。

2、本申请实施例提供一种显示面板,其包括:

3、基板;

4、遮光部,设置在所述基板上;

5、缓冲层,设置在所述遮光部远离所述基板的一侧;

6、第一有源部,设置在所述缓冲层远离所述基板的一侧;

7、第一栅极,与所述第一有源部异层设置;

8、层间介质层,覆盖所述第一有源部和所述第一栅极远离所述基板的一侧,所述层间介质层开设有第一接触孔和第二接触本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种显示面板,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,在所述显示面板的厚度方向上,所述第一下孔的开口端面到所述第一有源部的距离为第一距离,所述第一距离介于1纳米至60纳米之间。

3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,在所述显示面板的厚度方向上,所述第一下孔贯穿所述第一有源部的深度介于1纳米至30纳米之间。

4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一下孔的开口到所述第一上孔的孔壁的距离为第二距离,所述第二距离介于0.1微米至2微米之间。

5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第二下...

【技术特征摘要】

1.一种显示面板,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,在所述显示面板的厚度方向上,所述第一下孔的开口端面到所述第一有源部的距离为第一距离,所述第一距离介于1纳米至60纳米之间。

3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,在所述显示面板的厚度方向上,所述第一下孔贯穿所述第一有源部的深度介于1纳米至30纳米之间。

4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一下孔的开口到所述第一上孔的孔壁的距离为第二距离,所述第二距离介于0.1微米至2微米之间。

5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第二下孔的开口到所述第二上孔的孔壁的距离为第三距离,所述第二距离等于所述第三距离。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的显示面板,其特征在于,所述第一下孔包括第一子孔和第二子孔,所述第一子孔连通于所述第一上孔,所述第二子孔连通于所述第一子孔靠近所述基板的一侧,所述第二子孔设置在所述第一有源部内,所述第二子孔的开口宽度小于所述第一子孔的开口宽度。

7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第一上孔的孔壁倾斜角大于所述第一子孔的孔壁倾斜角,所述第一子孔的孔壁倾斜角大于所述第二子孔的孔壁倾斜角。

8.根据权利要求1-5任意一项所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括第二有源部、第二栅...

【专利技术属性】
技术研发人员:肖军城李珊徐源竣闫晓林张晓星
申请(专利权)人:广州华星光电半导体显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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